دسترسی همگانی(OPAC) نام کتابخانه در اوپک

SiGe Heterojunction Bipolar Transistors (2003) / Ashburn ، Peter، نویسنده

نوع مدرک:	برنامه‌ها و فایلهای کامپیوتری
سرشناسه	Ashburn ، Peter، نویسنده
عنوان :	SiGe Heterojunction Bipolar Transistors
ناشر:	بیجا : Wiley-Interscience
سال نشر :	2003
صفحه شمار:	279
مندرجات	1-Introduction 2-Basic bipolar transistor theory 3-Heavy doping effects 4-Second-order effects 5-High-frequency performance 6-Polysilicon emitters 7-Properties and growth of silicon-Germanium 8-Silicon heterojunction bipolar transistors 9-Silicon bipolar technology 10-Silicon-Germanium heterojunction bipolar tchnology 11-Compact models of bipolar transistots 12-Optimization of silicon and silicon-Germanium bipolar technologies
لینک ثابت رکورد:	../opac/index.php?lvl=record_display&id=1123
زبان مدرک :	English

شماره ثبت	شماره بازیابی	نام عام مواد	محل نگهداری	بخش	وضعیت ثبت	وضعیت امانت
فاقد شماره ثبت