رکوردهای مرتبط با این نویسنده

ارائه یک ابزار طراحی مدارات مجتمع CMOS با الگوریتم ژنتیک چند هدفه (1390) / دلفان همتی ، کامران، نویسنده

نوع مدرک: متون چاپی سرشناسه دلفان همتی ، کامران، نویسنده عنوان : ارائه یک ابزار طراحی مدارات مجتمع CMOS با الگوریتم ژنتیک چند هدفه تکرار نام مولف : کامران دلفان همتی سال نشر : 1390 صفحه شمار: 65ص شناسه افزوده : گلمکانی ، عباس (1353)، استاد راهنما چکیده : چکیده در این پروژه یک CAD به منظور طراحی و بهینه سازی مدارهای مجتمع دیجیتال و RF، پیاده سازی شده است. مسأله مهم در طراحی مدارهای مجتمع (بویژه در RF) در تکنولوژی CMOS، توجه به عناصر پارازیتیک ترانزیستور، خازن و سلفهای مجتمع آن است و این مسأله محاسبات دستی طراحی را پیچیده می کند. یک ویژگی مهم این روش استفاده از مدلهای دقیق عناصر و در نظر گرفتن کلیه عناصر پارازیتیک در طراحی است لذا جواب بدست آمده به واقعیت بسیار نزدیک است. در این پروژه پس از انتخاب پیکربندی مدار توسط کاربر، مقادیر اجزای مدار شامل ابعاد ترانزیستورها، ولتاژهای بایاس، تعداد دور و قطر سیم پیچ سلف های مدار توسط الگوریتم بهینه سازی پیشنهاد شده و مقادیر بهره، توان مصرفی، S11، S22، عدد نویز و تاخیر توسط این الگوریتم بهینه می شوند. پس در طراحی ما با یک مسأله بهینه سازی چندهدفه روبرو هستیم. در این پروژه برای بهینه سازی مدارهای مجتمع، الگوریتمی با نام «الگوریتم ژنتیک دسته بندی غلبه نشده مبتنی بر حفظ دسته اول» ارایه شده است. این الگوریتم از ترکیب دو الگوریتم SPEA و NSGA2 حاصل شده است. به این صورت که ابتدا یک جمعیت اولیه تصادفی به اندازهN تشکیل داده و با استفاده از عملگرهای معمول الگوریتم ژنتیک N عضو دیگر ساخته می شود و سپس کل اعضا را در یک مجموعه جدید به اندازه 2N ریخته و مشابه NSGA2 رتبه بندی غلبه نشده صورت می پذیرد. در NSGA2 اگر تعداد افراد رتبه اول بیشتر از N شود افرادی که احتمالا پراکندگی خوبی ندارند حذف می شوند تا جایی که این تعداد به N برسد. اما در این مواقع این الگوریتم مانند SPEA عمل کرده و این افراد را در یک بایگانی خارجی می گنجاند و از هرس کردنشان خودداری می کند(این کار باعث افزایش سرعت همگرایی الگوریتم می شود چون خیلی از مواقع ممکن است جوابهای خوبی که پس از چندین تکرار حاصل شده است با هرس کردن از بین روند). از بین اعضای بایگانی کسانی که فاصله پراکندگی بیشتری داشته باشند احتمال انتخاب بیشتری برای تشکیل نسل بعد خواهند داشت. برنامه های الگوریتم با Matlab نوشته شده است و شبیه سازی مدار بوسیله Hspice و Hspice-RF با تکنولوژی CMOS 0.18um صورت گرفته است. در این پروژه چندین ساختار تمام جمع کننده و LNA مجتمع، شامل ترکیب های جمع کننده هیبرید سرعت بالا، سلول جمع کننده هیبرید با سرعت بسیار بالا پیشنهادی، کم کردن توان مصرفی در یک تمام جمع کننده هیبرید سرعت بالا، LNA به صورت تکرار کننده جریان و مدار LNA پیشنهادی با فیلتر حذف تصویر معرفی خواهد شد. این مدارها با استفاده از CAD ارایه شده، طراحی و بهینه شده اند لینک ثابت رکورد: ../opac/index.php?lvl=record_display&id=14205 زبان مدرک : فارسی

 فهرست موجودی مدرک

شماره ثبت	شماره بازیابی	نام عام مواد	محل نگهداری	بخش	وضعیت ثبت	وضعیت امانت
108پ	108پ	پایان‌نامه	کتابخانه سجاد	برق - الکترونیک	اسناد مرجع	غیر قابل امانت

 نظرهای کاربران درباره این مدرک

تعداد نظرات کاربران :0 . برای افزودن نظر خود کلیک نمایید.

رای شما : بدون امتیاز بد ضعیف خوب بسیار خوب جذاب

موضوع

شرح نظر شما

ارائه روشی نوین در برنامه‌ریزی بهینه کوتاه مدت ریزشبکه مبتنی بر نفوذ زیاد منابع تجدیدپذیر (1394) / قلی نیا ، محمد، نویسنده

نوع مدرک: متون چاپی سرشناسه قلی نیا ، محمد، نویسنده عنوان : ارائه روشی نوین در برنامه‌ریزی بهینه کوتاه مدت ریزشبکه مبتنی بر نفوذ زیاد منابع تجدیدپذیر تکرار نام مولف : محمد قلی‌نیا سال نشر : 1394 صفحه شمار: 70ص شناسه افزوده : گلمکانی ، عباس (1353)، استاد راهنما چکیده : چکیده انرژی مقوله‌ای است که شاید بتوان آن را بی‌اغراق حساس‌ترین مساله روز جهان دانست و قرن بیستم را می‌توان عصر انرژی نامید. روبرو شدن با این حقیقت که منابع طبیعی محدود هستند امری اجتناب ناپذیر است بنابراین چالش این قرن، یافتن تکنولوژی‌های جایگزین است تا راه چاره‌ای باشد میان شکاف و فاصله بین نیازهای انرژی امروز که درحال افزایش و حجم منابع انرژی که در حال کاهش هستند. امروزه تغییرات وسیعی در حوزه انتقال و توزیع سیستم‌های قدرت در حال وقوع است. تراکم مزارع بادی بزرگ، منابع زمین گرمایی، خورشیدی ومنابع تجدیدپذیر کوچک همچون سلول‌های خورشیدی و سلول‌های سوختی در سطوح انتقال و توزیع روز به روز بیشتر می‌شود. این افزایش حضور منابع تجدیدپذیر در سطح توزیع مفهوم جدیدی به نام ریز‌شبکه را بوجود آورده است. یک ریزشبکه مجموعه‌ای از بارها و منابع تولید پراکنده است که بصورت یک سیستم واحد برای تولید توان الکتریکی و حرارتی فعالیت می‌کنند. تولید پراکنده یک منبع تولید توان الکتریکی است که به شبکه توزیع متصل و یا مستقیما در کنار مصرف کننده قرار می‌گیرد. منابع تولید در ریزشبکه‌ها می‌تواند میکروتوربین، توربین بادی، سلول خورشیدی، سلول سوختی و یا سایر منابع به همراه منابع ذخیره‌ساز انرژی همچون باتری‌ها، چرخ طیارها و سوپر خازن‌ها باشد. در دهه‌های گذشته سیستم توزیع را به عنوان یک سیستم تابع و غیر فعال می‌شناختند، چون تنها با وجود یک سیستم انتقال موجودیت پیدا می کرد ولی با پیدایش تولید پراکنده و ریزشبکه به یک سیستم فعال با دو جنبه تولید و مصرف تبدیل شد. ریزشبکه‌ها دارای شکل‌ها و اندازه‌های مختلفی هستند و می‌توانند به شبکه اصلی قدرت متصل و یا بصورت جدا یا جزیره‌ای مورد بهره‌برداری قرار گیرند. محدودیت بازار برق، پیشرفت تکنولوژی و انگیزه‌های زیستمحیطی منجر به افزایش بی‌شمار تولیدات پراکنده و در نتیجه افزایش ریزشبکه‌ها در سیستم قدرت شده است. در درجه اول مسایل اقتصادی و در درجه دوم تاثیرات مثبت آنها بر محیط زیست از دلایل تمایل به سمت توسعه ریزشبکه‌ها می‌باشد. ریزشبکه در بسیاری از مکان‌ها می‌توانند انرژی را بسیار ارزان‌تر از شبکه اصلی تامین کنند. به عنوان مثال در نقاط انتهایی شبکه سراسری، استفاده از ریزشبکه بسیار مقرون به صرفه خواهد بود. ریزشبکه تلفات را نیز در سیستم قدرت کاهش می‌دهد اما نیاز به تجهیزات الکترونیک قدرت و نیز تجهیزات پیچیده مخابراتی دارد که بایستی در محاسبات اقتصادی لحاظ شوند. تحقیقات نشان می‌دهد حدود 12 درصد کل توان تولیدی در خطوط انتقال تلف می‌شود . یکی از تجهیزات مورد نیاز منابع ذخیره‌ساز انرژی است که به دلیل اینرسی کم ریزشبکه وجودشان الزامی است. همچنین ریزشبکه‌ها می‌توانند ناحیه‌بندی شده و به موجب آن در مواقعی که تولید از مصرف کمتر است بارهای حساس از غیر حساس جدا شده و با حذف بارهای غیر حساس قابلیت اطمینان سیستم افزایش می‌یابد. میزان قطع بار و حساسیت بارها را مصرف کنندگان با توجه به توان اقتصادی خود انتخاب می‌کنند. با توجه به موارد ذکر شده، به طور خلاصه برخی از دلایل استفاده از ریزشبکه را می توان بصورت زیر بیان کرد: 1-بهره برداری اقتصادی و ملاحظات زیست محیطی 2- پایین بودن بازده نیروگاه‌های بزرگ 3-بالا بودن هزینه نصب، تعمیر و نگهداری نیروگاه‌های بزرگ 4-پیشرفت روزافزون صنعت و افزایش تقاضای مصرف انرژی 5-کم نمودن آمار خاموشی شبکه اصلی 6-بالا بودن هزینه تولید و انتقال 7-کاهش سوخت مصرفی نیروگاه‌ها 8-زمان بازگشت سرمایه کوتاه و ریسک سرمایه‌گذاری کم 9-ابعاد فیزیکی کوچک که می‌تواند در مرکز ثقل بار نصب شده و نیازی به انتخاب سایت نیست. اهمیت مساله انرژی، انتشار گازهای گلخانه‌ای، آلودگی‌های زیست محیطی و از همه مهمتر تجدیدناپذیر بودن سوخت‌های فسیلی، فرسوده شدن تجهیزات شبکه‌های انتقال و توزیع و نیاز به سرمایه گذاری کلان برای توسعه و نوسازی زیرساخت‌های پایه‌ای آنها از یک طرف و نیاز به انرژی برق با کیفیت و قابلیت اطمینان بالا از طرف دیگر سبب شده است تا استفاده از منابع انرژی نو به عنوان تولید کننده انرژی الکتریکی مورد توجه بسیاری از کشورهای پیشرفته دنیا قرار بگیرد. یکی از گزینههای مناسب جهت تامین انرژی برق، منابع تولید پراکنده می‌باشند که امروزه یکی از مهمترین منابع تامین انرژی برق هستند. تولید پراکنده به تولیدات کمتر از 10 مگاوات گفته می‌شود که بطور مستقیم با مشترک در ارتباط هستند. در برخی کشورهای اروپایی همچون دانمارک ظرفیت نصب واحدهای تولید پراکنده 30 تا40 درصد است. حضور منابع تولید پراکنده شبکههای توزیع گذشته را از حالت پسیو به شبکه‌های اکتیو تبدیل کرده است. شبکه‌های توزیع اکتیو یا همان ریزشبکه‌ها به شبکه‌های فشار ضعیفی اطلاق می‌شود که شامل منابع تولید پراکنده از قبیل توربین‌های بادی، نیروگاه‌های خورشیدی، میکروتوربین‌ها و... ، ذخیره‌سازهای انرژی همچون باتری‌ها، چرخ‌های طیار و ابرخازن‌ها و... ، بارهای حساس و بارهای قابل قطع می‌باشند که توسط یک ترانسفورماتور به شبکه ولتاژ متوسط بالادست متصل می‌شود. ریزشبکه‌ها در حالت عادی به صورت متصل به شبکه سراسری بهره‌برداری می‌شوند ولی در صورت بروز خطا در شبکه بالادست و یا جهت بهبود کیفیت توان برای بارهای موجود و ... این قابلیت را دارا می‌باشند که در حالت جدا از شبکه نیز کار کنند. ظرفیت منابع تولید موجود در ریزشبکه‌ها از چند صد کیلووات تجاوز نمی‌کنند. با توجه به حضور منابع تولید پراکنده در سطح توزیع ماهیت ریزشبکه‌ها تا حد زیادی با شبکه قدیمی متفاوت خواهد بود بنابراین مساله بهره‌برداری و کنترل ریزشبکه‌ها متفاوت از شبکه‌های سنتی می‌باشد. این تفاوت می‌تواند پایه بسیاری از تحقیقات در این زمینه شود. چون ماهیت ریزشبکه‌ها به نحوی است که قابلیت بهره‌برداری به صورت جزیره‌ای را دارند. هدف از این پژوهش هدف از نگارش این پایان نامه مدیریت یک ریزشبکه هوشمند مبتنی بر منابع تجدیدپذیر است که با استفاده از بارهای پاسخگو و منابع ذخیره‌ساز انرژی و تبادل با شبکه بالادست بر عدم قطعیت‌های ناشی از منابع تجدیدپذیر و بار فائق آمده و امکان نفوذ حداکثری این منابع فراهم می‌گردد. استفاده از تولیدات پراکنده از یک سو و پتانسیل‌های موجود در ریزشبکه همچون منابع پاسخگوی بار و منابع ذخیره‌ساز انرژی از جهت دیگر، یک ریزشبکه هوشمند را محقق می سازد. در این پژوهش، بهره‌برداری بهینه اقتصادی، زیست‌محیطی یک ریزشبکه هوشمند، شامل توربین بادی، مولد خورشیدی و میکروتوربین با در نظر گرفتن عدم قطعیت منابع تجدیدپذیر و با مشارکت بارهای پاسخگو و با حضور منابع ذخیره‌ساز انرژی در حوزه مدیریت کوتاه مدت، در دو حالت متصل به شبکه و جدا از شبکه مورد مطالعه قرار گرفته است. این پایان‌نامه با بکارگیری بارهای منعطف و در نظر گرفتن تبادل توان با شبکه بالادستی، به مدیریت همزمان عدم قطعیت‌های موجود وکاهش هزینه پرداخته است. از وجوه تمایز این پژوهش این است که کلیه ادوات مرسوم یک ریزشبکه در مساله لحاظ شده و هزینه‌های ریزشبکه که شامل هزینه تولید، هزینه آلایندگی، هزینه تبادل با شبکه بالادست، هزینه استهلاک باتری و هزینه استفاده از بارهای پاسخگو می‌باشد، با روش پیشنهادی به حداقل رسیده است. پیش‌بینی تولید منابع تجدیدپذیر به روشی جدید از شاخصه‌های آن می‌باشد که در کنار استفاده از بارهای پاسخگو و سایر ابزارهای موجود، منجر به افزایش دقت پیش‌بینی و پوشش بیشتر عدم قطعیت تولید این منابع شده است. نگاه ویژه به ایجاد انگیزه در بین مشترکین به مشارکت در برنامه پاسخگویی بار از دیگر ویژگیهای این پژوهش میباشد. مراحل کار به این صورت است که با استفاده از اطلاعات مربوط به پیش‌بینی بار و تعرفه قیمت برق شبکه بالادست و همچنین پیش‌بینی تولید منابع انرژی بادی و خورشیدی با استفاده از روش پیشنهادی، به کمینه‌سازی هزینه تولید ریزشبکه پرداخته شده است. از آنجایی که تولید این منابع با عدم قطعیت‌هایی مواجه است با استفاده از ابزارهای موجود همچون بارهای پاسخگو، منابع ذخیره‌ساز انرژی و سایر منابع تولید ریزشبکه، عدم قطعیت‌ها مدیریت شده است و در نتیجه کارآمدی این ابزارها با در نظر گرفتن نفوذ زیاد منابع تجدیدپذیر ثابت می‌شود. از آنجا که هدف مدیریت بهینه، کفایت تضمین انرژی ریزشبکه وکاهش هزینه‌های بهره‌برداری است، هزینه کلیه سناریوها با درنظرگرفتن تاثیر عواملی چون تولید آلاینده‌ها و جریمه تعلق گرفته به آن، محاسبه شده و تمامی نتایج قابل مقایسه با یکدیگر و با حالت مرجع ریزشبکه هستند. با طی کردن این مراحل می‌توان ادعا کرد که ریزشبکه‌ای با قابلیت اطمینان بالا، با قابلیت پاسخگویی بار و با اتکای بالا بر انرژی‌های تجدیدپذیر داریم که اصطلاحا یک "ریزشبکه هوشمند" نامیده می‌شود. ساختار پروژه این پروژه شامل 5 فصل به شرح زیر است: در چکیده این پژوهش، هدف از این تحقیق و ساختار فصل‌های این پایان‌نامه مطرح شد‌ه است. فصل اول ضمن تعریف ریزشبکه و بررسی مزایا و معایب آن به چالش‌های توسعه ریزشبکه‌ها پرداخته شده و شباهت‌ها و تفاوت‌ها با شبکه قدرت اصلی مورد بحث قرار گرفته و در ادامه به حالت‌های کاری یک ریزشبکه اشاره شده است. در فصل دوم با مرور مطالعات انجام شده در گذشته سعی شده فضای خالی تحقیقات گذشته بیان شود. در فصل سوم به بیان طرح کلی مدیریت بهینه ریزشبکه در قالب یک مساله بهینه‌سازی و همچنین بیان طرح و ایده‌های نوآورانه پرداخته شده ‌است. فصل چهارم به ارایه نتایج حاصل از برنامه بهینه‌سازی پرداخته و بر روی نتایج بحث شده ‌است. به جهت مقایسه بهتر میان نتایج و نشان دادن کاهش هزینه‌های بهره‌بردار ریزشبکه و افزایش سود رسیده به مشترکین شرکت کننده در برنامه پاسخگویی بار، بهینه‌سازی در سه حالت انجام شده است لینک ثابت رکورد: ../opac/index.php?lvl=record_display&id=14280 زبان مدرک : فارسی

 فهرست موجودی مدرک

شماره ثبت	شماره بازیابی	نام عام مواد	محل نگهداری	بخش	وضعیت ثبت	وضعیت امانت
203پ	203پ	پایان‌نامه	کتابخانه سجاد	مهندسی برق - قدرت	اسناد مرجع	غیر قابل امانت

 نظرهای کاربران درباره این مدرک

تعداد نظرات کاربران :0 . برای افزودن نظر خود کلیک نمایید.

رای شما : بدون امتیاز بد ضعیف خوب بسیار خوب جذاب

موضوع

شرح نظر شما

استفاده از جبران سازی فرکانسی ترکیبی با هدف بهبود پهنای باند تقویت کننده عملیاتی ولتاژ پایین (1393) / علمدار مقدم ، سید محمدرضا، نویسنده

نوع مدرک: متون چاپی سرشناسه علمدار مقدم ، سید محمدرضا، نویسنده عنوان : استفاده از جبران سازی فرکانسی ترکیبی با هدف بهبود پهنای باند تقویت کننده عملیاتی ولتاژ پایین تکرار نام مولف : سید محمدرضا علمدارمقدم سال نشر : 1393 صفحه شمار: 69ص شناسه افزوده : گلمکانی ، عباس (1353)، استاد راهنما چکیده : چکیده تقویت کننده های عملیاتی (آپ امپ) ، عنصر اساسی بسیاری از سیستم های آنالوگ و مرکب(آنالوگ دیجیتال) هستند. تقویت کننده های عملیاتی با درجات متفاوتی از پیچیدگی برای تحقق کارهای مختلف از تولید بایاس DC گرفته تا تقویت سرعت بالا و یا فیلترکردن به طور گسترده استفاده می شوند. کوچک تر شدن طول کانال و کاهش ولتاژ تغذیه در هر نسل CMOS ، طراحی تقویت کننده های عملیاتی را همواره با چالش روبرو کرده است. فیدبک روش قدرتمندی است که کاربرد گسترده ای در مدارهای آنالوگ دارد. مثلا به وسیله فیدبک منفی می توان پردازش بسیار دقیقی روی سیگنال ها انجام داد و فیدبک مثبت هم در ساخت نوسان سازها بکار می رود. سیستم های فیدبک دار بالقوه امکان ناپایداری دارند به این معنی که ممکن است نوسان کنند. مطالعه درباره تقویت کننده های عملیاتی نشان می دهد که چنین مدارهایی معمولا دارای قطب هستند به عنوان مثال در آپ امپ دو طبقه، هر طبقه یک قطب غالب ایجاد می کند. بنابراین مطالعه سیستم فیدبک داری که تقویت کننده مرکزی آن چند قطب دارد، مهم است. به همین منظور آپ امپ در صورت ناپایدار بودن باید جبران سازی فرکانسی شوند یعنی تابع انتقال حلقه باز آن ها طوری اصلاح شود که مدار حلقه بسته پایدار باشد لینک ثابت رکورد: ../opac/index.php?lvl=record_display&id=14247 زبان مدرک : فارسی

 فهرست موجودی مدرک

شماره ثبت	شماره بازیابی	نام عام مواد	محل نگهداری	بخش	وضعیت ثبت	وضعیت امانت
173پ	173پ	پایان‌نامه	کتابخانه سجاد	برق - الکترونیک	اسناد مرجع	غیر قابل امانت

 نظرهای کاربران درباره این مدرک

تعداد نظرات کاربران :0 . برای افزودن نظر خود کلیک نمایید.

رای شما : بدون امتیاز بد ضعیف خوب بسیار خوب جذاب

موضوع

شرح نظر شما

افزایش بهره‌ی تقویت‌کننده‌ی هدایت انتقالی باز‌سازی شده با تکنیک فیدبک مثبت و معرفی مسیر جدید ورودی (1394) / آقایی ، تکتم، نویسنده

نوع مدرک: متون چاپی سرشناسه آقایی ، تکتم، نویسنده عنوان : افزایش بهره‌ی تقویت‌کننده‌ی هدایت انتقالی باز‌سازی شده با تکنیک فیدبک مثبت و معرفی مسیر جدید ورودی تکرار نام مولف : تکتم آقایی سال نشر : 1394 صفحه شمار: 65ص شناسه افزوده : گلمکانی ، عباس (1353)، استاد راهنما چکیده : چکیده: این مقاله به تحلیل و طراحی یک تقویت‌کننده‌ی فولدد‌کسکود باز‌سازی شده با فیدبک مثبت می‌پردازد. تقویت‌کننده‌ی پیشنهادی از تکنیک ایجاد مسیر جدید ورودی جهت افزایش هدایت انتقالی استفاده می‌کند. تقویت‌کننده‌ی پیشنهادی با ولتاژ تغذیه 1.2V و در تکنولوژی TSMC 90nm شبیه‌سازی شده است. طبق نتایج شبیه‌سازی تقویت‌کننده‌ی پیشنهادی دارای بهره‌ی فرکانس پایین75dB و GBW برابر با375 MHz می باشد.مصرف توان کل مدار نیز برابر 359µW اندازه‌گیری شده است. که 22dB نسبت به ساختار فولدد‌کسکود باز‌سازی شده (در تکنولوژی، تغذیه، جریان و خازن بار یکسان) افزایش بهره داشته است. پهنای باند نیز با حفظ شرایط پایداری در تقویت‌کننده پیشنهادی 207MHz افزایش یافته است. و همچنین شبیه‌سازی در گوشه‌ها‌ی FF و SS ، و شبیه‌سازی مونت‌کارلو، عملکرد صحیح مدار را با در نظر گرفتن تغییرات پارامتر‌ها‌ی مختلف نظیر دما و ولتاژ تغذیه تایید می‌کند لینک ثابت رکورد: ../opac/index.php?lvl=record_display&id=14277 زبان مدرک : فارسی

 فهرست موجودی مدرک

شماره ثبت	شماره بازیابی	نام عام مواد	محل نگهداری	بخش	وضعیت ثبت	وضعیت امانت
195پ	195پ	پایان‌نامه	کتابخانه سجاد	برق - الکترونیک	اسناد مرجع	غیر قابل امانت

 نظرهای کاربران درباره این مدرک

تعداد نظرات کاربران :0 . برای افزودن نظر خود کلیک نمایید.

رای شما : بدون امتیاز بد ضعیف خوب بسیار خوب جذاب

موضوع

شرح نظر شما

افزایش پهنای باند و بهبود بهره در تقویت کننده های ولتاژ پایین (1394) / صفاریان ، محمدرضا، نویسنده

نوع مدرک: متون چاپی سرشناسه صفاریان ، محمدرضا، نویسنده عنوان : افزایش پهنای باند و بهبود بهره در تقویت کننده های ولتاژ پایین تکرار نام مولف : محمدرضا صفاریان سال نشر : 1394 صفحه شمار: 65ص شناسه افزوده : گلمکانی ، عباس (1353)، استاد راهنما چکیده : چکیده: کاهش حداقل ابعاد در تکنولوژی هایCMOS، مستلزم کاهش منابع تغذیه ولتاژ در مدارهای مجتمع می‌باشد. به‌طور همزمان، افزایش تقاضا در حوزه کاربردهای قابل حمل و بیوپزشکی نیز نیاز به IC های آنالوگ ولتاژ پایین و توان پایین و IC های سیگنال مختلط را افزایش داده است. با گسترش این IC ها، تجهیزات الکترونیکی تغذیه شده با باتری از نظر اندازه کوچک‌تر شده و مدت فعالیت آن‌ها نیز در مقایسه با گذشته افزایش یافته است. در این پایان نامه به منظور طراحی تقویت کننده عملیاتی ولتاژ پایین و توان پایین و بهبود بهره و پهنای باند بهره واحد از تکنیک بایاس در ناحیه زیرآستانه ، تکنیک کسکود مرکب و جبران سازی غیرمستقیم استفاده شده است. ناحیه زیرآستانه در یک ترانزیستور CMOS برای پیاده‌سازی مدارهای فوق توان پایین، بسیار مناسب است. با این وجود، در ناحیه زیرآستانه، پهنای باند بهره واحد به خاطر جریان‌های فوق‌العاده کم محدود می‌گردد. جبران سازی غیرمستقیم، روشی عملی و مناسب برای جبران سازی آپ امپ ها و در نتیجه بیشتر شدن UGBW و کاهش توان آپ امپ با اندازه مداری بسیار کوچک‌تر است. طبقه کسکود مرکب برای طراحی تقویت‌کننده‌های عملیاتی با هدف دست‌یابی به بهره فوق‌العاده بالا در توان‌های بسیار کم، مورد استفاده قرار می‌گیرد. انعطاف‌پذیری و سادگی این مراحل، این روش را به گزینه‌ای مناسب برای طراحی آپ امپ های توان پایین تبدیل کرده است. در این پایان‌نامه یک تقویت کننده عملیاتی ولتاژ پایین و توان پایین با بهره 116.3 dB ، پهنای باند 316.2 KHz ،حاشیه فاز 59.5°و توان مصرفی 726 nW ارائه شده است لینک ثابت رکورد: ../opac/index.php?lvl=record_display&id=14287 زبان مدرک : فارسی

 فهرست موجودی مدرک

شماره ثبت	شماره بازیابی	نام عام مواد	محل نگهداری	بخش	وضعیت ثبت	وضعیت امانت
210پ	210پ	پایان‌نامه	کتابخانه سجاد	برق - الکترونیک	اسناد مرجع	غیر قابل امانت

 نظرهای کاربران درباره این مدرک

تعداد نظرات کاربران :0 . برای افزودن نظر خود کلیک نمایید.

رای شما : بدون امتیاز بد ضعیف خوب بسیار خوب جذاب

موضوع

شرح نظر شما

بررسی ساختار‌های مختلف Full Adder (1390) / ایلخانی ، محبوبه، نویسنده

نوع مدرک: متون چاپی سرشناسه ایلخانی ، محبوبه، نویسنده عنوان : بررسی ساختار‌های مختلف Full Adder تکرار نام مولف : محبوبه ایلخانی سال نشر : 1390 صفحه شمار: 47ص شناسه افزوده : گلمکانی ، عباس (1353)، استاد راهنما چکیده : چکیده در این پایان نامه پارامترهای مهم در مدارات دیجیتال توضیح داده شده و چند سلول جمع کننده متداول مورد بررسی قرار گرفته است. ایده های مختلفی که در پیاده سازی مدارات جمع کننده وجود داشته، شبیه سازی شده است. در پیاده سازی مدار سلول جمع کننده، در بعضی از مقالات طبقات ورودی و در بعضی دیگر طبقات خروجی متفاوت است. در مقالات متفاوت از منطق های CMOS مکمل، نسبتی، ترانزیستور عبوری مکمل، گیت های انتقال، تابع اکثریت استفاده شده است. همه مدارات جمع کننده پایان نامه توسط نرم افزار Hspice در تکنولوژی CMOS TSMC 0.18µm شبیه سازی کرده و به نتایج شبیه سازی مقالات رسیده ایم و مدارات را با هم مقایسه کرده ایم. ما طبـقه ورودی (H=A ⨁ B) را تغییر داده، از منطق ترانزیستور عبوری استفاده کرده و شبیه سازی کرده ایم و به توان مصرفی، زمان تاخیر و درنتیجه PDP بهتری رسیده ایم. در دو جمع کننده طبقه خروجی Cout را تغییر داده و بعد از شبیه سازی به نتایج بهتری رسیده ایم. به عنوان نمونه مداری را در گوشه های پروسس، ولتاژهای تغذیه متفاوت و گوشه های دمایی شبیه سازی کرده ایم. کلمات کلیدی: جمع کننده، CMOS، توان مصرفی، تابع اکثریت، زمان تاخیر لینک ثابت رکورد: ../opac/index.php?lvl=record_display&id=14119 زبان مدرک : فارسی

 فهرست موجودی مدرک

شماره ثبت	شماره بازیابی	نام عام مواد	محل نگهداری	بخش	وضعیت ثبت	وضعیت امانت
2پ	2پ	پایان‌نامه	کتابخانه سجاد	برق - الکترونیک	اسناد مرجع	غیر قابل امانت

 نظرهای کاربران درباره این مدرک

تعداد نظرات کاربران :0 . برای افزودن نظر خود کلیک نمایید.

رای شما : بدون امتیاز بد ضعیف خوب بسیار خوب جذاب

موضوع

شرح نظر شما

خطی سازی تقویت کننده های مجتمع کم نویز فرکانس رادیویی (1394) / مسگراف ، محمدحسین، نویسنده

نوع مدرک: متون چاپی سرشناسه مسگراف ، محمدحسین، نویسنده عنوان : خطی سازی تقویت کننده های مجتمع کم نویز فرکانس رادیویی تکرار نام مولف : محمدحسین مسگراف سال نشر : 1394 صفحه شمار: 92ص شناسه افزوده : گلمکانی ، عباس (1353)، استاد راهنما چکیده : چکیده چکیده: در این گزارش روند طراحی یک تقویت‌کننده کم نویز را با تأکید بر پارامتر خطینگی ارائه می‌دهیم. در ولتاژهای پایین رسانایی درین (gd) حائز اهمیت می‌شود. درحالی‌که در ولتاژهای بالا این پارامتر تأثیر چندانی ندارد. با افزایش میزان خطینگی رسانایی، IIP3 بهبود می‌یابد. روش خطی سازی فید فوروارد درصدد افزایش رسانایی درین است؛ که می‌توان با استفاده از فیلتر LC و نیز استفاده از ساختارهای تا شده به این مهم دست‌یافت؛ که این طرح با توجه به استفاده از مدار LC نه‌تنها به خطی سازی ترارسانایی (gm) می‌پردازد، بلکه در خطی نگه‌داشتن رسانایی درین (gd) نیز نقش به سزایی دارد. البته روش ارائه‌شده برای کاربردهای ولتاژ پایین بسیار عملی است؛ چراکه از چند ترانزیستور به‌صورت کسکود استفاده نمی‌شود؛ که همین امر به ما اجاره می‌دهد تا بتوانیم حداکثر ولتاژ درین-سورس را برای خطی نگه‌داشتن رسانایی درین داشته باشیم. این در حالی است که علی‌رغم افزایش خطینگی باعث افزایش توان مصرفی نمی‌شود. تقویت‌کننده ارائه‌شده در فرکانس2.5GHz و تکنولوژی 130nm طراحی‌شده است. نتایج شبیه‌سازی مقدار 15dB بهره، مقدار IIP3 نیز 8.51dBm، عدد نویز در حدود 2.5dB در پهنای باند موردنظر و توان مصرفی کمتر از 14.81 mW را نشان می‌دهد. در طراحی دیگری نیز درصدد بهبود خطینگی تقویت‌کننده کم نویز هستیم که با موازی کردن یک مسیر کمکی به تقویت‌کننده‌ی اصلی به دست می‌آید؛ در این فصل از ترکیب کسکود استفاده‌شده است، همچنین از طریق این مسیر کمکی و سلف‌های اضافه‌شده در پایه سورس ترانزیستور به تنظیم دامنه و فاز می‌پردازیم، به‌این‌ترتیب کنترل ضریب غیرخطی مرتبه سوم ممکن می‌گردد تا درنهایت بتوانیم ضریب غیرخطی مرتبه سوم کل را تا حد امکان کوچک نماییم. همچنین به بررسی اثر ضریب غیرخطی مرتبه دوم که بروی IIP3 اثر می‌گذارد، توجه می‌شود. معمولاً می‌توان برای تحلیل آن، از تحلیل سری توانی استفاده کرد. پیشنهاد روش (DS) ارائه‌شده در این گزارش، قابلیت اضافه شدن به انواع مدارات تقویت‌کننده را دارا است چراکه به‌صورت موازی با تقویت‌کننده اصلی قرار می‌گیرد. در این شبیه‌سازی از تکنولوژی 180 نانومتر استفاده‌شده است. نتایج به‌دست‌آمده مقدار بهره را در حدود 16dB، عدد نویز 2.43dB و مقدار IIP3 در حدود7.5dB نشان می‌دهد. واژگان کلیدی: خطی سازی، تقویت‌کننده کم نویز، LNA، Derivative superposition (DS) لینک ثابت رکورد: ../opac/index.php?lvl=record_display&id=14260 زبان مدرک : فارسی

 فهرست موجودی مدرک

شماره ثبت	شماره بازیابی	نام عام مواد	محل نگهداری	بخش	وضعیت ثبت	وضعیت امانت
171پ	171پ	پایان‌نامه	کتابخانه سجاد	برق - الکترونیک	اسناد مرجع	غیر قابل امانت

 نظرهای کاربران درباره این مدرک

تعداد نظرات کاربران :0 . برای افزودن نظر خود کلیک نمایید.

رای شما : بدون امتیاز بد ضعیف خوب بسیار خوب جذاب

موضوع

شرح نظر شما

شبیه سازی و مدل سازی سلف های مجتمع CMOS (1390) / ادیب زاده ، محسن، نویسنده

نوع مدرک: متون چاپی سرشناسه ادیب زاده ، محسن، نویسنده عنوان : شبیه سازی و مدل سازی سلف های مجتمع CMOS تکرار نام مولف : محسن ادیب زاده سال نشر : 1390 صفحه شمار: 69ص شناسه افزوده : گلمکانی ، عباس (1353)، استاد راهنما چکیده : چکیده: هدف از این پروژه بررسی ساختار و روش های مدل سازی و شبیه سازی سلف های مجتمع CMOS است که در مدارهای فرکانس رادیویی، فیلترها و بسیاری از مدارات دیگر کاربرد فراوان دارند. در این پروژه به مرور انواع شکلهای هندسی متداول و غیرمتداول سلف پرداخته می شود. از آن جا که هدف به دست آوردن یک سلف با ضریب کیفیت و فرکانس تشدید مناسب است، نیازمندیم تمام پارامترهای سلف را به صورت بهینه انتخاب کنیم. عوامل موثر در تعیین ضریب کیفیت سلف و فرکانس خود تشدید سلف بررسی شده و روش های بهبود ضریب کیفیت بررسی می گردد. مسأله مهم در طراحی مدارهای مجتمع RF در تکنولوژی CMOS، توجه به عناصر پارازیتیک ترانزیستور، خازن و سلف های مجتمع آن است و این مسأله محاسبات دستی طراحی را پیچیده می کند. یک ساختار جدید برای پیاده سازی سلف های مجتمع ارائه شده است که این ساختارهای جدید به صورت سلف سلنوئیدی در لایه های مختلف فلزی در تکنولوژی CMOS پیاده سازی شده است. این سلف ها بوسیله نرم افزار تحلیل الکترومغناطیسی Sonnet، برای مقادیر مختلف ابعاد قطر داخلی شبیه سازی شده اند و پارامترهای S آنها تا فرکانس GHz 10 استخراج شده است. در بخش دیگر این پروژه، یک مدل شبکه عصبی برای سلف ها ارائه شده که با دریافت قطر داخلی(2R)، پهنای فلز(w) و فرکانس مورد نظر(f) مقادیر پارامترهای S را در خروجی تولید می کند. با استفاده از این مدل، سلف سلنوئیدی مناسب برای کاربردهای مختلف طراحی شده است. در این پروژه نشان داده خواهد شد که این سلف ها نسبت به سلف های سلنوئیدی یک دور کیفیت بهتری در کاربردهای مختلف خواهند داشت لینک ثابت رکورد: ../opac/index.php?lvl=record_display&id=14142 زبان مدرک : فارسی

 فهرست موجودی مدرک

شماره ثبت	شماره بازیابی	نام عام مواد	محل نگهداری	بخش	وضعیت ثبت	وضعیت امانت
22پ	22پ	پایان‌نامه	کتابخانه سجاد	برق - الکترونیک	اسناد مرجع	غیر قابل امانت

 نظرهای کاربران درباره این مدرک

تعداد نظرات کاربران :0 . برای افزودن نظر خود کلیک نمایید.

رای شما : بدون امتیاز بد ضعیف خوب بسیار خوب جذاب

موضوع

شرح نظر شما

طراحی و بهبود مشخصه های ساختاری Voltage Controlled Ring oscillator در تکنولوژی CMOS (1392) / نقی زاده ، حمیدرضا، نویسنده

نوع مدرک: متون چاپی سرشناسه نقی زاده ، حمیدرضا، نویسنده عنوان : طراحی و بهبود مشخصه های ساختاری Voltage Controlled Ring oscillator در تکنولوژی CMOS تکرار نام مولف : حمیدرضا نقی زاده سال نشر : 1392 صفحه شمار: 97ص شناسه افزوده : گلمکانی ، عباس (1353)، نویسنده چکیده : چکیده از خصوصیات بارز VCO حلقوی می توان به محدوده تنظیم گسترده، طراحی ساده، سطح سیلیکونی کوچک، مجتمع سازی آسان و تلفات توان پایین اشاره کرد. با این حال،نسبت به اسیلاتورهای LC به دلیل ضریب کیفیت پایین، عملکرد نویز فاز اسیلاتورهای حلقوی به طور کلی بسیار ضعیف است، که این یکی از چالشهای مهم در طراحی VCO حلقوی می باشد. در فصول ابتدایی این پایان نامه سعی بر بررسی ساختارهای مهم و کاربردی VCOهای حلقوی در کنار تکنیک های متفاوت از قبیل کنترل ولتاژ سوئینگ، کاهش نویز تغذیه شده است. یکی از دغدغه های اصلی ما در این کار در حوزه طراحی مدارهای VCO حلقوی، عملکرد در ولتاژهای پایین و همچنین خطی سازی نمودار مشخصه می‌باشد که با استفاده از روش DTMOS و همچنین ساختارهای پیشنهادی بر این امر فایق آمده ایم. در ادامه مدارهایی در حوزه فرکانس های بالا و UWB پیشنهاد شده که بر حسب هدف مورد نظر از قبیل نویز فاز، توان مصرفی و رنج تنظیم ساختارهایی پیشنهاد گردیده است لینک ثابت رکورد: ../opac/index.php?lvl=record_display&id=14219 زبان مدرک : فارسی

 فهرست موجودی مدرک

شماره ثبت	شماره بازیابی	نام عام مواد	محل نگهداری	بخش	وضعیت ثبت	وضعیت امانت
137پ	137پ	پایان‌نامه	کتابخانه سجاد	برق - الکترونیک	اسناد مرجع	غیر قابل امانت

 نظرهای کاربران درباره این مدرک

تعداد نظرات کاربران :0 . برای افزودن نظر خود کلیک نمایید.

رای شما : بدون امتیاز بد ضعیف خوب بسیار خوب جذاب

موضوع

شرح نظر شما

طراحی و بهینه سازی آپ امپ ولتاژ و توان پایین (1390) / حسنی ، سیده سارا، نویسنده

نوع مدرک: متون چاپی سرشناسه حسنی ، سیده سارا، نویسنده عنوان : طراحی و بهینه سازی آپ امپ ولتاژ و توان پایین تکرار نام مولف : سیده سارا حسنی سال نشر : 1390 صفحه شمار: 64ص شناسه افزوده : گلمکانی ، عباس (1353)، استاد راهنما چکیده : چکیده : در چندین دهه اخیر، تکثیر جهانی کامپیوترها، سیستم های الکترونیکی و تجهیزات قابل انتقال، باعث شده که طراحان و محققان تمرکز بیشتری بر طراحی سیستم های ولتاژ و توان پایین داشته باشند. یک OTA ولتاژ و توان بسیار پایین در این پروژه پیشنهاد شده است. برای طراحی مدارات ولتاژ پایین، آینه جریان ها و طبقات ورودی و خروجی بررسی می شوند. روهای زیادی برای طراحی OTAهای ولتاژ و توان پایین وجود دارد. یکی از این روش های رایج، روش bulk driven می باشد که در این پروژه استفاده شده است. استفاده از این روش منجر به افزایش رنج مد مشترک و سوئینگ ولتاژ می شود. بعلاوه، عملکرد بهتری در ولتاژ پایین خواهد داشت. اگر چه این روش برای طراحی ولتاژ پایین مناسب است ولی معایبی مانند کوچک بودن ترارسانایی ماسفت bulk driven نسبت به ترانزیستورهای gate driven دارد. عیب دیگر ماسفت های bulk driven این است که پاسخ فرکانسی کوچکتری نسبت به ترانزیستورهای gate driven دارند. همچنین نویز معادل تقویت کننده bulk driven بزرگتر از تقویت کننده gate driven است. ناحیه وارونگی ضعیف یا زیر آستانه برای عملکرد ولتاژ پایین مناسب می باشند به این علت که این ناحیه ترارسانایی بزرگتری نسبت به دیگر نواحی دارد. یک OTA با ولتاژ و توان بسیار پایین با استفاده از جبرانسازی هیبرید در این پروژه طراحی شده است. برخی مشخصات این تقویت کننده مانند بهره مدار باز و پهنای باند بهره واحد به ترتیب عبارتند از dB 2/84 و KHz 6/91. این OTA تحت ولتاژ 5/0 ولت توانnW 1020 مصرف می کند. به دلیل مصرف توان بسیار پایین این تقویت کننده، می تواند در کاربردهایی با توان محدود مورد استفاده قرار بگیرد مانند کاربردهای بیوپزشکی. کلمات کلیدی: ولتاژ و توان پایین، وارونگی ضعیف ، جبرانسازی هیبرید، Bulk driven، OTA لینک ثابت رکورد: ../opac/index.php?lvl=record_display&id=14242 زبان مدرک : فارسی

 فهرست موجودی مدرک

شماره ثبت	شماره بازیابی	نام عام مواد	محل نگهداری	بخش	وضعیت ثبت	وضعیت امانت
165پ	165پ	پایان‌نامه	کتابخانه سجاد	برق - الکترونیک	اسناد مرجع	غیر قابل امانت

 نظرهای کاربران درباره این مدرک

تعداد نظرات کاربران :0 . برای افزودن نظر خود کلیک نمایید.

رای شما : بدون امتیاز بد ضعیف خوب بسیار خوب جذاب

موضوع

شرح نظر شما

طراحی و بهینه سازی تقویت کننده توان کلاسE (1391) / صابری ، مریم، نویسنده

نوع مدرک: متون چاپی سرشناسه صابری ، مریم، نویسنده عنوان : طراحی و بهینه سازی تقویت کننده توان کلاسE تکرار نام مولف : مریم صابری سال نشر : 1391 شناسه افزوده : گلمکانی ، عباس (1353)، استاد راهنما چکیده : چکیده تقویت کننده های قدرت بعنوان بخش جدایی ناپذیر از سیستم های مخابراتی، بخش اعظم توان مصرفی این سیستم ها را به خود اختصاص می دهند، بنابراین افزایش بازده ی تقویت کننده ها توجه طراحان مدارات RF را بخود جلب کرده است. یکی از پرکاربردترین راه حل ها، استفاده از تقویت کننده های قدرت سوئیچ شونده، بویژه تقویت کننده ی کلاس E می باشد. این پایان نامه قصد طراحی یک تقویت کننده ی قدرت کلاس Eکه از شرایط ولتاژ و مشتق ولتاژ سوئیچ شدن صفر به منظور اطمینان از سوئیچ شدن نرم ترانزیستور و عملکرد بهینه ی تقویت کننده بهره می گیرد، جهت کار در مدارات WLAN را دارد. در ابتدا به توضیح مبانی تفویت کننده های قدرت نظیر بازدهی، ظرفیت توان، خطی بودن و مکانیزم های تلفات پرداخته شده زیرا از لحاظ تئوری، در صورت ایده آل بودن تمام المان ها، بازدهی 100% از این تقویت کننده قابل حصول است. اگرچه در عمل، بدلیل وجود عوامل غیر ایده آلی مانند مقاومت حالت روشن غیر صفر ترانزیستور و زمان سوئیچ شدن غیر صفر ترانزیستور، این بازدهی غیر قابل دسترس می شود چشم پوشی از عوامل غیر ایده آل در طراحی و ساخت تقویت کننده ی قدرت کلاس E باعث عملکرد غیر بهینه و حتی عدم عملکرد مدار تقویت کننده می گردد. بعد از تقسیم بندی تقویت کننده ها ی قدرت به دو گروه هدایت انتقالی و سوئیچ شونده، به توضیح مختصری از ساختار و تفاوت های آن ها پرداخته شده است. در فصل دوم به طور مفصل ساختار تقویت کننده ی قدرت کلاسE که شامل تحلیل ساختار، بررسی معادلات و محاسبه المان های مدار است تفضیل شده است. در فصل سوم تحلیل و طراحی یک تقویت کننده کلاس E که در فرکانس 2.4 GHzکار می کند به گونه ای که بتواند نیازهای استاندارد کار در شبکه های WlAN را برآورد، تمرکز گردیده است. هدف در این طراحی دستیابی به بازده مناسب، گین و توان خروجی قابل قبول و همچنین بازده افزوده توان است. بازده افزوده توان یکی از مهم ترین معیارها در تمییز قردادن کارآیی ابن تقویت کننده ها از هم است. به منظور رسیدن مقصود، در نخستین قدم از بین تکنولوژی های موجود در زمینه های ترانزیستور های RF (CMOS، InGaP HBT و SiGe HBT) یک ترانزیستور مناسب (CMOS) با تکنولوژی 0.18 μm بعلت مزایای این ترانزیستور مانند توان مصرفی کمتر، تکنولوژی و مراحل ساخت ساده تر و سایز کوچکتر تراشه ها جهت نائل شدن به اهداف مشخصه استفاده شده است. دو مدار در این پایان نامه طراحی شده است که در هر دوی آن ها بعد از انتخاب ترانزیستور در قدم دوم به طراحی شبکه اصلی که تقویت کننده ی قدرت کلاس E اپرداخته شده است که به جای ساختار پایه ای آن از آرایش آبشاری برای رسیدن به توان خروجی بالاتر و جهت غلبه بر مشکلات ناشی از ولتاژ شکست ترانزیستور بهره گرفته شده است. از آنجایی که این مدار به ازای ورودی های بسیار کم نامطلوب است در نتیجه استفاده از تقویت کننده کلاس E تنها بصورت یک طبقه نمی¬تواند گین کافی ر ا برای کاربردهای WLAN فراهم نماید بنابراین وارد مرحله سوم شده که طراحی یک شبکه تحریک است. یک تقویت کننده کلاس F که با استفاده از فرکانس اصلی و هارمونیک های سوم فرکانسی قادر است شکل موج مربعی مورد نیاز برای تحریک طبقه اصلی را فراهم کند انتخاب شد، آرایش آبشاری در طبقه تحریک به منظور افزایش امپدانس خروجی مدار در نتیجه افزایش گین آن می¬باشد در نتیجه توان کافی برای طبقه خروجی فراهم می شود. در قدم آخر به منظور انتقال ماکزیمم توان ممکن از منبع ورودی به بار خروجی از شبکه تطبیق استفاده شده است. در طراحی مدار دوم شبکه بار جدیدی برای تقویت کننده ی کلاسE پیشنهاد شده است این ساختار به تقویت کننده امکان استفاده از مقاومت بار و خازن موازی بزرگتر را داده و در نتیجه ظرفیت توان تقویت کننده را افزایش می دهد. افزایش مقاومت بار به افزایش بازده ی تقویت کننده کمک می کند. نتایج شبیه سازی کارآمدی آن را تضمین می کند. در نهایت اثر تغییرات منبع تغذیه و گوشه های پروسه بر روی عملکرد مدار بررسی شده است ومقایسه ایی بین مدارات پیشنهادی و مدارات دیگری که در این فرکانس کار می کنند صورت گرفته است. کلمات کیلدی: تفویت کننده توان،توان ورودی،بازده افزوده توان، فرکانس کاری، بازده لینک ثابت رکورد: ../opac/index.php?lvl=record_display&id=14153 زبان مدرک : فارسی

 فهرست موجودی مدرک

شماره ثبت	شماره بازیابی	نام عام مواد	محل نگهداری	بخش	وضعیت ثبت	وضعیت امانت
39پ	39پ	پایان‌نامه	کتابخانه سجاد	برق - الکترونیک	اسناد مرجع	غیر قابل امانت

 نظرهای کاربران درباره این مدرک

تعداد نظرات کاربران :0 . برای افزودن نظر خود کلیک نمایید.

رای شما : بدون امتیاز بد ضعیف خوب بسیار خوب جذاب

موضوع

شرح نظر شما

طراحی و بهینه سازی سلول SRAM (1391) / ابراهیمی ، امیر، نویسنده

نوع مدرک: متون چاپی سرشناسه ابراهیمی ، امیر، نویسنده عنوان : طراحی و بهینه سازی سلول SRAM تکرار نام مولف : امیر ابراهیمی سال نشر : 1391 صفحه شمار: 61ص شناسه افزوده : گلمکانی ، عباس (1353)، استاد راهنما چکیده : چکیده در این سال‌ها با افزایش کاربرد‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌های موبایل، پزشکی و فضایی، تقاضای تهاجمی برای کاهش مصرف انرژی و بهبود قابلیت اطمینان سیستم‌های نیمه هادی به سرعت مورد توجه قرار گرفته است. در اکثر تحقیق‌های اخیر، توان یکی از بحرانی‌ترین محدودیت‌ها است. یکی از مؤثرترین روش‌ها برای کاهش فوق‌العاده توان مصرفی در قطعات نیمه هادی، استفاده از ولتاژ منبع پایین‌تری است. اگر ولتاژ منبع کاهش یابد، توان استاتیکی و دینامیکی کاهش پیدا می‌کند. دسترسی به توان فوق‌العاده پایین در ترانزیستور‌های CMOS با کم کردن VDD در حدود زیرآستانه امکان‌پذیر است. اگرچه، وقتی ولتاژ منبع در حد زیر‌آستانه کاهش پیدا کند SRAM شش ترانزیستوری متعارف به کاهش قابل توجهی در حاشیه نویز استاتیکی مواجه می‌شود و در حالیکه منطق آن به خوبی کار می‌کند با کاهش سرعت روبرو می‌شود. بنابراین به منظور پیاده‌سازی توان فوق‌العاده کم، طراحی حافظه‌هایی مانند SRAM در ناحیه زیر‌آستانه است که در این امر می توان به مدارات ورما، زیا، چنگ و کیم اشاره کرد. در طراحی SRAM جنبه های زیادی وجود دارد مثلاً اندازه‌ای که یک سلول احاطه می‌کند، حاشیه نویز استاتیکی (SNM)، مدل ولتاژ نگهداری داده (DRV)، توان مصرفی در طی عملکردهای مختلف و همچنین تأخیر خواندن و نوشتن است که باید مورد بررسی قرار بگیرند. در این پروژه چهار ساختار مختلف پیشنهاد شده است. ساختار اول ساختار چهار ترانزیستوری است. در یک شرایط یکسان می توان گفت که ساختار پیشنهادی علاوه بر اینکه از دو ترانزیستور کمتر استفاده کرده است دارای توان، تأخیر خواندن و نوشتن و همچنین جریان نشتی کمتری در مقایسه با سلول متعارف می باشد. ساختار بعدی ساختار نه ترانزیستوری می باشد که در این ساختار با جدا کردن عملکرد خواندن و نوشتن حاشیه نویز استاتیکی بالایی دارد و همچنین در VDD برابر V3/0 بایاس شده است و همچنین به دلیل استفاده از تکنیک SVL دارای توان مصرفی کمتری است. ساختارهای بعدی که شامل ده و یازده ترانزیستور است با استفاده از تکنیک جدا کردن عملکرد خواندن و نوشتن حاشیه نویز استاتیکی بالایی را می توان به وجود آورد. همچنین در طی عملکرد خواندن با بالا نگه داشتن گره خواندن در سلول های غیر دسترس می¬توان جریان نشتی کمتری داشت که این امر باعث می شود که سلول های بیشتری را در خط BITLINE قرار داد. بنابراین، می توان حافظه بزرگتری را به وجود آورد. قابل ذکر است که این دو ساختار به ترتیب در VDD برابر با V32/0 و V27/0 بایاس شده است. تمام شبیه سازی ها توسط نرم افزار HSPICE با تکنولوژی nm130 انجام شده است. کلمات کلیدی: SRAM، زیرآستانه، حاشیه نویز استاتیکی، توان، زمان های دسترسی، جریان نشتی لینک ثابت رکورد: ../opac/index.php?lvl=record_display&id=14202 زبان مدرک : فارسی

 فهرست موجودی مدرک

شماره ثبت	شماره بازیابی	نام عام مواد	محل نگهداری	بخش	وضعیت ثبت	وضعیت امانت
105پ	105پ	پایان‌نامه	کتابخانه سجاد	برق - الکترونیک	اسناد مرجع	غیر قابل امانت

 نظرهای کاربران درباره این مدرک

تعداد نظرات کاربران :0 . برای افزودن نظر خود کلیک نمایید.

رای شما : بدون امتیاز بد ضعیف خوب بسیار خوب جذاب

موضوع

شرح نظر شما

طراحی تمام جمع کننده هیبرید با توان مصرفی پایین و سرعت بالا (1392) / رستمی ، سمیرا، نویسنده

نوع مدرک: متون چاپی سرشناسه رستمی ، سمیرا، نویسنده عنوان : طراحی تمام جمع کننده هیبرید با توان مصرفی پایین و سرعت بالا تکرار نام مولف : سمیرا رستمی سال نشر : 1392 صفحه شمار: 54ص شناسه افزوده : گلمکانی ، عباس (1353)، استاد راهنما چکیده : در این پایان نامه پارامترهای مهم در مدارات دیجیتال توضیح داده شده و چند سلول جمع کننده متداول مورد بررسی قرار گرفته است. ایده های مختلفی که در پیاده سازی مدارات جمع کننده وجود داشته، شبیه سازی شده است. در پیاده سازی مدار سلول جمع کننده، در بعضی از مقالات طبقات ورودی و در بعضی دیگر طبقات خروجی متفاوت است. در مقالات متفاوت از منطق های CMOS مکمل، نسبتی، ترانزیستور عبوری مکمل، گیت های انتقال و تابع اکثریت استفاده شده است. همه مدارات جمع کننده پایان نامه را توسط نرم افزار Hspise در تکنولوژیCMOSmµ0.18TSMCو 45nm FinFET-شبیه سازی کرده و به نتایج جدیدی رسیده ایم و مدارات را با هم مقایسه کرده ایم. ما طبقه ورودی(H=A ⨁ B)را تغییر داده، از منطق ترانزیستور عبوریو تکنیک GDI استفاده کرده و شبیه سازی کرده ایم و به توان مصرفی، زمان تاخیر و در نتیجه PDP بهتری رسیده ایم. در سایر جمع کننده ها طبقه خروجی Cout را تغییر داده و بعد از شبیه سازی به نتایج بهتری رسیده ایم. کلمات کلیدی: تمام جمع کننده، هیبرید، Fin-FET، توان مصرفی، تأخیر، CMOS. چکیده لینک ثابت رکورد: ../opac/index.php?lvl=record_display&id=14163 زبان مدرک : فارسی

 فهرست موجودی مدرک

شماره ثبت	شماره بازیابی	نام عام مواد	محل نگهداری	بخش	وضعیت ثبت	وضعیت امانت
51پ	51پ	پایان‌نامه	کتابخانه سجاد	برق - الکترونیک	اسناد مرجع	غیر قابل امانت

 نظرهای کاربران درباره این مدرک

تعداد نظرات کاربران :0 . برای افزودن نظر خود کلیک نمایید.

رای شما : بدون امتیاز بد ضعیف خوب بسیار خوب جذاب

موضوع

شرح نظر شما

طراحی رگولاتور با افت کم (LDO) با پارامترهای بهبود یافته (1395) / وطن دوست ، خلیل، نویسنده

نوع مدرک: متون چاپی سرشناسه وطن دوست ، خلیل، نویسنده عنوان : طراحی رگولاتور با افت کم (LDO) با پارامترهای بهبود یافته تکرار نام مولف : خلیل وطن دوست سال نشر : 1395 یادداشت چکیده در این پایان‌نامه، طراحی تنظیم‌کننده‌ی ولتاژ LDO با هدف رسیدن به بهترین پارامترهای ممکن و داشتن پایداری کافی انجام شده است. به این منظور، ساختار جدیدی پیشنهاد شده است. در این ساختار، علاوه بر استفاده از ترانزیستور توان، از یک طبقه‌ی متصل به این ترانزیستور به نام طبقه‌ی پوش- پول استفاده شده است که عملکرد مدار را بهبود می‌دهد. هم‌چنین، در طراحی تنظیم‌کننده‌ی ولتاژ پیشنهادی از دو تقویت‌کننده‌ی خطا استفاده شده است تا ولتاژ تقویت‌شده‌ی خروجی به طور همزمان به طبقه‌ی پوش- پول و بدنه‌ی ترانزیستور توان اعمال شود. این روش باعث کاهش سایز ترانزیستور توان و ولتاژ آستانه آن می‌شود و عملکرد آن را بهبود می‌دهد. تنظیم‌کننده‌ی پیشنهادی در نرم‌افزار cadence و با تکنولوژی 180 نانومتر شبیه‌سازی شده است. با استفاده از این ساختار، تنظیم‌کننده‌ی پیشنهادی قادر است با ولتاژ ورودی 3/1 ولت تا 8/1 ولت و جریان بار صفر تا 50 میلی‌آمپر، مشخصات خوبی را به دست آورد. پارامترهای تنظیم خط و تنظیم بار تنظیم‌کننده‌ی LDO پیشنهادی به ترتیب عبارتند از mV/V 44/4 و mV/mA 114/0 در حالی‌که ولتاژ افت خروجی کم‌تر از 150 میلی‌ولت را تحویل می‌دهد. جریان ساکن مصرفی این تنظیم‌کننده 340 میکروآمپر و زمان نشست آن 2/0 میکرو‌ثانیه است شناسه افزوده : گلمکانی ، عباس (1353)، استاد راهنما لینک ثابت رکورد: ../opac/index.php?lvl=record_display&id=15300 زبان مدرک : فارسی

 فهرست موجودی مدرک

شماره ثبت	شماره بازیابی	نام عام مواد	محل نگهداری	بخش	وضعیت ثبت	وضعیت امانت
279پ	279پ	پایان‌نامه	کتابخانه سجاد	برق - الکترونیک	اسناد مرجع	غیر قابل امانت

 نظرهای کاربران درباره این مدرک

تعداد نظرات کاربران :0 . برای افزودن نظر خود کلیک نمایید.

رای شما : بدون امتیاز بد ضعیف خوب بسیار خوب جذاب

موضوع

شرح نظر شما

طراحی و ساخت رله کنترلی ایستگاه‌های برق فشارقوی مبتنی بر پروتکل IEC 61850 / بهاری ، مصطفی، نویسنده

نوع مدرک: متون چاپی سرشناسه بهاری ، مصطفی، نویسنده عنوان : طراحی و ساخت رله کنترلی ایستگاه‌های برق فشارقوی مبتنی بر پروتکل IEC 61850 تکرار نام مولف : مصطفی بهاری صفحه شمار: 82ص یادداشت چکیده رشد روز افزون تکنولوژی‌ها منجر به رشد درخواست انرژی الکتریکی می‌شود و با محدودیت‌هایی از جمله مسائل زیست محیطی، اقتصادی، اجتماعی و سیاسی نمی‌توان به هر میزان و در هر نقطه که بهره‌بردار سیستم نیاز می‌بیند ایستگاه برق و یا نیروگاه احداث نماید. این محدودیت‌ها منجر به ایجاد شبکه‌های تولید، انتقال و توزیع بصورت توزیع شده می‌شود. حال این شبکه توزیع شده باید مادام تحت نظارت، کنترل و حفاظت قرار بگیرد. بهره‌برداران باید برای شبکه‌ای با این وسعت و پراکندگی سیستم‌های DCS (Distributed Control System) و اتوماسیون ایستگاه‌های برق فشارقوی SAS (Substation Automation System) در نظر بگیرند. برای داشتن سیستم‌هایDCS و SAS باید تجهیزات دیجیتالی کنترل، حفاظت و نظارت که دارای امکانات ارتباطی با استاندارد لازم هستند در شبکه نصب شوند. این دستگاه‌ها را تجهیزات هوشمند الکترونیکی یا IED (Intelligent Electronic Device) می‌نامند. یکی از این تجهیزات دیجیتالی و پرکاربرد که وظیفه اصلی آن در حوزه کنترل و نظارت می‌باشد تجهیز BCU (Bay Control Unit) است که باید دارای پروتکل استاندارد IEC 61850 باشد. در این پایان‌نامه طرح‌های سخت‌افزاری در بین نوشتار‌های مختلف را بررسی کردیم. همچنین با بررسی عملکرد و امکانات تجهیزات مشابه مانند زیمنس و ABB به طراحی معماری سخت‌افزاری بصورت توسعه پذیر (ماژولار) که دارای پروتکل IEC 61850 باشد، پرداختیم. با استفاده از طرح ارائه شده در این پایان‌نامه، موفق به ساخت یک نمونه رله با نام MB-BCU شده‌ایم. برای ساخت رله نیاز به شناسایی کامل پروتکل IEC 61850 داریم، برای این منظور به مطالعه زبان SCL (Substation Configuration Language) و شناسایی مدل‌های تجهیزات فشارقوی در فایل‌های پیکربندی IEC 61850 مانند فایل CID (Configured IED Description) نیز پرداختیم. برای ایجاد فایل پیکربندی نیاز به مدل کردن تجهیزات فشارقوی مانند بریکر، سکسیونر، تپ‌چنجر و غیره می‌باشد، در این پایان‌نامه اقدام به مدل‌سازی این تجهیزات نموده و در فایل CID ساخته شده برای رله MB-BCU تجهیز بریکر و سکسیونر و فرامین AR (Auto Recloser) و LR (Lockout Reset) مدل شدند. در انتها با انجام آزمایشات مختلف عملکرد و دقت رله MB-BCU تولید شده را با رله‌های 7SJ82 و REGD-A مورد ارزیابی قرار دادیم. برای انجام آزمایشات برروی رله MB-BCU نیاز به تجهیزاتی برای شبیه‌سازی تجهیزات قدرت داریم. برای رفع این نیاز در این پایان‌نامه به طراحی دستگاه شبیه‌ساز ایستگاه‌های فشارقوی بصورت الکترونیکی پرداختیم. در طراحی این شبیه‌ساز علاوه بر شبیه‌سازی ادوات سوئیچگیر، با ایجاد یک مدار الکترونیکی سوئیچینگ یک خروجی با سرعت سوئپچینگ بالا در آن تعبیه کردیم. با استفاده از این خروجی می‌توانیم پالس‌های مربعی با زمان‌بندی‌های مختلف و تعداد پالس دلخواه تولید و به ورودی‌های دیجیتال رله اعمال کرد. با ارتباط دادن رله MB-BCU به دستگاه شبیه‌ساز، نرم‌افزار IED Scout، نرم‌افزار ایرانی اتوماسیون ایستگاه‌های فشارقوی aSAS و نرم‌افزار اتوماسیون شرکت زیمنس SICAM PAS-V8.14، دقت، سرعت و کارایی رله طراحی شده MB-BCU را با نمونه‌های خارجی تولید کشور آلمان مورد مقایسه قرار دادیم. با انجام سناریوهای مختلف آزمایش دقت تشخیص هر رله را بصورت جداگانه بررسی و نتایج را ثبت کردیم. نتایج قابل توجهی بدست آوردیم. در این پایان‌نامه بدنبال پذیرش یا رد کردن رله خاصی نیستیم. اما لازم بود دقت رله MB-BCU ساخته شده را درتشخیص پالس‌های حداقلی مانند 1 میلی ثانیه مورد ارزیابی قرار دهیم و از بهینه بودن تمامی مدارات و الگوریتم‌های برنامه‌های نوشته شده اطمینان حاصل نماییم. در تمامی سناریوهای آزمایش که پالس‌هایی به ورودی دیجیتال رله‌ها تزریق شد، عملکرد رله MB-BCU در مقایسه با رله‌های 7SJ82 و REGD-A دقیقتر و سریعتر بود. در آزمایش ارسال فرمان مشابه به رله‌ها، رله MB-BCU سریعتر عمل کرد. همچنین در آزمایش خاموش و روشن شدن مجدد رله‌ها و اندازه‌گیری زمان اتصال مجدد رله‌ها به نرم‌افزار IED Scout رله MB-BCU بسیار سریعتر نسبت به رله‌های دیگر به نرم‌افزار متصل گردید. امکانات و طراحی مناسب سخت‌افزار رله این امکان را فراهم می‌کند که با نوشتن و اضافه نمودن پروتکل‌های دیگر مانند پروتکل‌های اسکادا IEC60870-5-101,104 از دستگاه بعنوان RTU(Remote Terminal Unit) در ایستگاه‌های فشارقوی استفاده نماییم و اطلاعات و سیگنال‌ها را توسط ورودی‌های زیاد خود از سطح ایستگاه جمع‌آوری و به مراکز کنترل ارسال نماید و همچنین فرامین مراکز را در سطح ایستگاه اجرا نماید. کلید‌واژه‌ها: aSAS، IED Scout،SCL، CID، IED،SAS ، DCS، ماژولار، پروتکل، MB-BCU، IEC 61850 شناسه افزوده : گلمکانی ، عباس (1353)، نویسنده لینک ثابت رکورد: ../opac/index.php?lvl=record_display&id=25530 زبان مدرک : فارسی

 فهرست موجودی مدرک

شماره ثبت	شماره بازیابی	نام عام مواد	محل نگهداری	بخش	وضعیت ثبت	وضعیت امانت
713پ سی	713پ سی	پایان‌نامه	کتابخانه سجاد	مهندسی برق - قدرت	اسناد مرجع	غیر قابل امانت

 نظرهای کاربران درباره این مدرک

تعداد نظرات کاربران :0 . برای افزودن نظر خود کلیک نمایید.

رای شما : بدون امتیاز بد ضعیف خوب بسیار خوب جذاب

موضوع

شرح نظر شما