رکوردهای مرتبط با این نویسنده

طراحی و بهینه سازی سلول SRAM (1391) / ابراهیمی ، امیر، نویسنده

نوع مدرک: متون چاپی سرشناسه ابراهیمی ، امیر، نویسنده عنوان : طراحی و بهینه سازی سلول SRAM تکرار نام مولف : امیر ابراهیمی سال نشر : 1391 صفحه شمار: 61ص شناسه افزوده : گلمکانی ، عباس (1353)، استاد راهنما چکیده : چکیده در این سال‌ها با افزایش کاربرد‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌های موبایل، پزشکی و فضایی، تقاضای تهاجمی برای کاهش مصرف انرژی و بهبود قابلیت اطمینان سیستم‌های نیمه هادی به سرعت مورد توجه قرار گرفته است. در اکثر تحقیق‌های اخیر، توان یکی از بحرانی‌ترین محدودیت‌ها است. یکی از مؤثرترین روش‌ها برای کاهش فوق‌العاده توان مصرفی در قطعات نیمه هادی، استفاده از ولتاژ منبع پایین‌تری است. اگر ولتاژ منبع کاهش یابد، توان استاتیکی و دینامیکی کاهش پیدا می‌کند. دسترسی به توان فوق‌العاده پایین در ترانزیستور‌های CMOS با کم کردن VDD در حدود زیرآستانه امکان‌پذیر است. اگرچه، وقتی ولتاژ منبع در حد زیر‌آستانه کاهش پیدا کند SRAM شش ترانزیستوری متعارف به کاهش قابل توجهی در حاشیه نویز استاتیکی مواجه می‌شود و در حالیکه منطق آن به خوبی کار می‌کند با کاهش سرعت روبرو می‌شود. بنابراین به منظور پیاده‌سازی توان فوق‌العاده کم، طراحی حافظه‌هایی مانند SRAM در ناحیه زیر‌آستانه است که در این امر می توان به مدارات ورما، زیا، چنگ و کیم اشاره کرد. در طراحی SRAM جنبه های زیادی وجود دارد مثلاً اندازه‌ای که یک سلول احاطه می‌کند، حاشیه نویز استاتیکی (SNM)، مدل ولتاژ نگهداری داده (DRV)، توان مصرفی در طی عملکردهای مختلف و همچنین تأخیر خواندن و نوشتن است که باید مورد بررسی قرار بگیرند. در این پروژه چهار ساختار مختلف پیشنهاد شده است. ساختار اول ساختار چهار ترانزیستوری است. در یک شرایط یکسان می توان گفت که ساختار پیشنهادی علاوه بر اینکه از دو ترانزیستور کمتر استفاده کرده است دارای توان، تأخیر خواندن و نوشتن و همچنین جریان نشتی کمتری در مقایسه با سلول متعارف می باشد. ساختار بعدی ساختار نه ترانزیستوری می باشد که در این ساختار با جدا کردن عملکرد خواندن و نوشتن حاشیه نویز استاتیکی بالایی دارد و همچنین در VDD برابر V3/0 بایاس شده است و همچنین به دلیل استفاده از تکنیک SVL دارای توان مصرفی کمتری است. ساختارهای بعدی که شامل ده و یازده ترانزیستور است با استفاده از تکنیک جدا کردن عملکرد خواندن و نوشتن حاشیه نویز استاتیکی بالایی را می توان به وجود آورد. همچنین در طی عملکرد خواندن با بالا نگه داشتن گره خواندن در سلول های غیر دسترس می¬توان جریان نشتی کمتری داشت که این امر باعث می شود که سلول های بیشتری را در خط BITLINE قرار داد. بنابراین، می توان حافظه بزرگتری را به وجود آورد. قابل ذکر است که این دو ساختار به ترتیب در VDD برابر با V32/0 و V27/0 بایاس شده است. تمام شبیه سازی ها توسط نرم افزار HSPICE با تکنولوژی nm130 انجام شده است. کلمات کلیدی: SRAM، زیرآستانه، حاشیه نویز استاتیکی، توان، زمان های دسترسی، جریان نشتی لینک ثابت رکورد: ../opac/index.php?lvl=record_display&id=14202 زبان مدرک : فارسی

 فهرست موجودی مدرک

شماره ثبت	شماره بازیابی	نام عام مواد	محل نگهداری	بخش	وضعیت ثبت	وضعیت امانت
105پ	105پ	پایان‌نامه	کتابخانه سجاد	برق - الکترونیک	اسناد مرجع	غیر قابل امانت

 نظرهای کاربران درباره این مدرک

تعداد نظرات کاربران :0 . برای افزودن نظر خود کلیک نمایید.

رای شما : بدون امتیاز بد ضعیف خوب بسیار خوب جذاب

موضوع

شرح نظر شما

پلان و طرحهای ساختمانی خانه‌های شخصی و آپارتمانی / خانیان, امیر

نوع مدرک: متون چاپی سرشناسه خانیان, امیر رده‌بندی کنگره : NA7126 ‭/پ8 عنوان : پلان و طرحهای ساختمانی خانه‌های شخصی و آپارتمانی : منتخبی از طراحان و معماران جهان تکرار نام مولف : مترجمان امیر ابراهیمی، امیر خانیان ناشر: تهران : انتشارات و کتابفروشی بهار صفحه شمار: 78ص ویژگی : مصور، نقشه شناسه افزوده : خانیان امیر، ابراهیمی ، امیر، مترجم موضوع‌ها : اصفا ساختمان‌سازی -- صنعت و تجارت -- طرح و محاسبه ؛ معماری خانگی -- طرح و نقشه لینک ثابت رکورد: ../opac/index.php?lvl=record_display&id=9852 زبان مدرک : فارسی

 درخواست رزرو

 فهرست موجودی مدرک

شماره ثبت	شماره بازیابی	نام عام مواد	محل نگهداری	بخش	وضعیت ثبت	وضعیت امانت
13261	NA7126‭ /پ8	کتاب فارسی	کتابخانه سجاد	سایر	اسناد معمولی	موجود

 نظرهای کاربران درباره این مدرک

تعداد نظرات کاربران :0 . برای افزودن نظر خود کلیک نمایید.

رای شما : بدون امتیاز بد ضعیف خوب بسیار خوب جذاب

موضوع

شرح نظر شما