چکیده
چکیده: در این گزارش روند طراحی یک تقویتکننده کم نویز را با تأکید بر پارامتر خطینگی ارائه میدهیم. در ولتاژهای پایین رسانایی درین (gd) حائز اهمیت میشود. درحالیکه در ولتاژهای بالا این پارامتر تأثیر چندانی ندارد. با افزایش میزان خطینگی رسانایی، IIP3 بهبود مییابد. روش خطی سازی فید فوروارد درصدد افزایش رسانایی درین است؛ که میتوان با استفاده از فیلتر LC و نیز استفاده از ساختارهای تا شده به این مهم دستیافت؛ که این طرح با توجه به استفاده از مدار LC نهتنها به خطی سازی ترارسانایی (gm) میپردازد، بلکه در خطی نگهداشتن رسانایی درین (gd) نیز نقش به سزایی دارد. البته روش ارائهشده برای کاربردهای ولتاژ پایین بسیار عملی است؛ چراکه از چند ترانزیستور بهصورت کسکود استفاده نمیشود؛ که همین امر به ما اجاره میدهد تا بتوانیم حداکثر ولتاژ درین-سورس را برای خطی نگهداشتن رسانایی درین داشته باشیم. این در حالی است که علیرغم افزایش خطینگی باعث افزایش توان مصرفی نمیشود. تقویتکننده ارائهشده در فرکانس2.5GHz و تکنولوژی 130nm طراحیشده است. نتایج شبیهسازی مقدار 15dB بهره، مقدار IIP3 نیز 8.51dBm، عدد نویز در حدود 2.5dB در پهنای باند موردنظر و توان مصرفی کمتر از 14.81 mW را نشان میدهد.
در طراحی دیگری نیز درصدد بهبود خطینگی تقویتکننده کم نویز هستیم که با موازی کردن یک مسیر کمکی به تقویتکنندهی اصلی به دست میآید؛ در این فصل از ترکیب کسکود استفادهشده است، همچنین از طریق این مسیر کمکی و سلفهای اضافهشده در پایه سورس ترانزیستور به تنظیم دامنه و فاز میپردازیم، بهاینترتیب کنترل ضریب غیرخطی مرتبه سوم ممکن میگردد تا درنهایت بتوانیم ضریب غیرخطی مرتبه سوم کل را تا حد امکان کوچک نماییم. همچنین به بررسی اثر ضریب غیرخطی مرتبه دوم که بروی IIP3 اثر میگذارد، توجه میشود. معمولاً میتوان برای تحلیل آن، از تحلیل سری توانی استفاده کرد. پیشنهاد روش (DS) ارائهشده در این گزارش، قابلیت اضافه شدن به انواع مدارات تقویتکننده را دارا است چراکه بهصورت موازی با تقویتکننده اصلی قرار میگیرد. در این شبیهسازی از تکنولوژی 180 نانومتر استفادهشده است. نتایج بهدستآمده مقدار بهره را در حدود 16dB، عدد نویز 2.43dB و مقدار IIP3 در حدود7.5dB نشان میدهد.