چکیده:
هدف از این پروژه بررسی ساختار و روش های مدل سازی و شبیه سازی سلف های مجتمع CMOS است که در مدارهای فرکانس رادیویی، فیلترها و بسیاری از مدارات دیگر کاربرد فراوان دارند. در این پروژه به مرور انواع شکلهای هندسی متداول و غیرمتداول سلف پرداخته می شود. از آن جا که هدف به دست آوردن یک سلف با ضریب کیفیت و فرکانس تشدید مناسب است، نیازمندیم تمام پارامترهای سلف را به صورت بهینه انتخاب کنیم. عوامل موثر در تعیین ضریب کیفیت سلف و فرکانس خود تشدید سلف بررسی شده و روش های بهبود ضریب کیفیت بررسی می گردد. مسأله مهم در طراحی مدارهای مجتمع RF در تکنولوژی CMOS، توجه به عناصر پارازیتیک ترانزیستور، خازن و سلف های مجتمع آن است و این مسأله محاسبات دستی طراحی را پیچیده می کند.
یک ساختار جدید برای پیاده سازی سلف های مجتمع ارائه شده است که این ساختارهای جدید به صورت سلف سلنوئیدی در لایه های مختلف فلزی در تکنولوژی CMOS پیاده سازی شده است. این سلف ها بوسیله نرم افزار تحلیل الکترومغناطیسی Sonnet، برای مقادیر مختلف ابعاد قطر داخلی شبیه سازی شده اند و پارامترهای S آنها تا فرکانس GHz 10 استخراج شده است.
در بخش دیگر این پروژه، یک مدل شبکه عصبی برای سلف ها ارائه شده که با دریافت قطر داخلی(2R)، پهنای فلز(w) و فرکانس مورد نظر(f) مقادیر پارامترهای S را در خروجی تولید می کند. با استفاده از این مدل، سلف سلنوئیدی مناسب برای کاربردهای مختلف طراحی شده است. در این پروژه نشان داده خواهد شد که این سلف ها نسبت به سلف های سلنوئیدی یک دور کیفیت بهتری در کاربردهای مختلف خواهند داشت
