کالیبراسیون مبدل آنالوگ به دیجیتال SAR به منظور افزایش محدوده نرخ نمونه برداری
تکرار نام مولف :
عباس نقیب زاده
سال نشر :
1395
صفحه شمار:
82ص
یادداشت
چکیده:
هدف از انجام پروسه کالیبراسیون، غلبه بر برخی خطاهای ذاتی و ناشی از پروسه ساخت موجود در سیستم، بهمنظور افزایش دقت عملکرد مبدل در یک سرعت تبدیل مشخص می باشد. همچنین با استفاده از این تکنیک میتوان برای دستیابی به یک دقت و سرعت مشخص، مبدلهایی با هزینه و توان مصرفی کمتر طراحی نمود. با توجه به این موضوع که کالیبراسیون فرایندی مجزا از عملکرد عادی مبدل داده است، بر اساس زمان اجرای این فرایند نسبت به عملکرد عادی مبدل، روشهای کالیبراسیون به دو نوع کلی پیشزمینه و پسزمینه تقسیمبندی میشوند. در کالیبراسیون به روش پیشزمینه، فرجه زمانی مشخصی برای انجام فرایند کالیبراسیون در نظر گرفته میشود. بدین ترتیب که در این بازه زمانی، عملکرد عادی مبدل که تبدیل سیگنال ورودی آنالوگ به داده خروجی دیجیتال معادل آن است، متوقف میشود. درروش پسزمینه، زمان مجزایی برای اندازهگیری و اصلاح خطا در نظر گرفته نمیشود بلکه این کار در طی عملکرد معمول مبدل صورت میپذیرد. بنابراین کالیبراسیون در طی عملکرد مبدل، مرتباً به آن اعمالشده و درنتیجه قادر به دنبال نمودن و تصحیح خطاهای حاصل از تغییر شرایط محیطی، افت تغذیه و یا کهنگی میباشد. مبدلهای آنالوگ به دیجیتال SAR به دلیل داشتن مزایایی ازجمله توان مصرفی کم، رزولوشن مناسب و سرعت خوب بهصورت گسترده در مدارات الکترونیکی مورد استفاده قرار میگیرند. با توجه به این موضوع کالیبراسیون این مبدلها در چند سال اخیر بهمنظور افزایش راندمان موردتوجه قرارگرفته است. از جمله خطاهای موجود در مبدل¬های آنالوگ به دیجیتال SAR می¬توان به عدم تطابق خازنی، جریان های نشتی و نشست ناقص اشاره کرد. برای تصحیح خطای عدم تطابق خازنی که به علت وجود خطا در هنگام ساخت خازن¬ها بوجود می¬آید می¬توان از روش¬های کالیبراسیون Self Calibration، کالیبراسیون دیجیتالی On Chip و… استفاده نمود. وجود جریان¬های نشتی و نشست ناقص DAC محدوده نرخ نمونه برداری مبدل های آنالوگ به دیجیتال SAR را به ترتیب در نرخ¬های نمونه برداری پایین و بالا محدود می کند. در این پژوهش از روش کالیبراسیونی استفادهشده که به صورت Background عمل کرده و علاوه بر اینکه محدوده نرخ نمونه¬برداری مبدل SAR را افزایش می دهد می-تواند اثرات ناشی از تغییرات دما بر روی جریان های نشتی را نیز در حین کار مبدل جبران سازی نماید. شبیه سازی مدار پیشنهاد شده در تکنولوژی 90nmو ولتاژ تغذیه 1.2 ولت صورت گرفته است تا تاثیر جریان¬های نشتی در تکنولوژی¬های جدیدتر بهتر نمایان گردد. در نرخ نمونه برداری 20 kS/s و در حالت بدون کالیبراسیون پارامترهای SNDR، ENOB و FOM به ترتیب برابر 36.47dB، 3.05 bit و pJ/Convesion 2805.55 اندازه گیری شده است. با استفاده از روش کالیبراسیون اعمالی و استفاده از 3 خازن، پارامتر SNDR تا 51.27dB افزایش داشته و ENOB نیز تا مقدار 4.42 bit بهبود می یابد. با توجه به بهبود دو پارامتر ذکر شده، FOM مدار نیز تا مقدارpJ/Convesion 738.33 کاهش می یابد که نشان از تاثیر مثبت این روش کالیبراسیون دارد. البته با توجه به افزایش المان های مدار توان مصرفی از 3.03 µW به 4.4 µW افزایش یافته است