![]()
طراحی و پیاده¬سازی مدار اندازه¬گیری امپدانس بافت با استفاده از تقویت¬کننده کوپلاژ خازنی و جریان تزریقی شبه¬سینوسی (1397) / شمسکی ، علی، نویسنده
نوع مدرک: متون چاپی سرشناسه شمسکی ، علی، نویسنده عنوان : طراحی و پیاده¬سازی مدار اندازه¬گیری امپدانس بافت با استفاده از تقویت¬کننده کوپلاژ خازنی و جریان تزریقی شبه¬سینوسی : علی شمسکی سال نشر : 1397 صفحه شمار: 96ص یادداشت چکیده
امروزه دستگاههای مانیتورینگ پارامترهای سلامتی بسیار مورد توجه محققین قرار¬دارند. از این سیستمها به ویژه در تشخیص بیماریها و نشانههای اولیه آنها بسیار استفاده میشود. در سالهای اخیر، دستگاههای زیادی جهت اندازهگیری میزان ضربان قلب و تنفس طراحیشدهاند. علاوه بر آن تلاش محققین جهت طراحی سیستمهایی که بتواند پارامترهایی از قبیل SpO2 ، ECG ، فشارخون، امپدانس بافت...را اندازهگیری کند، روزبهروز افزایش مییابد. یکی از مهمترین پارامترهایی که جهت مانیتورینگ پارامترهای سلامتی بدن مورد استفاده قرار میگیرد، امپدانس بافت است. دلیل این مسئله این است که بافتهای بیولوژیکی بدن، هدایت الکتریکی دارند، و این هدایت در اثر عوامل مختلف، ممکن است تغییر کند. با مانیتور کردن تغییرات امپدانس بافت¬های بدن، می¬توان به برخی نشانه¬های بیماری¬ها پی¬برد. به عنوان مثال هنگامی که کمخونی رخ میدهد، امپدانس ماهیچه قلب هم در اندازه و هم در فاز تغییر میکند. همچنین از این پارامتر، میتوان جهت مانیتورینگ عملکرد ششها، تشخیص سرطان پستان و انواع سرطان پوست استفاده کرد. مبنای روش جهت اندازه¬گیری امپدانس بافت بدین¬صورت است که با قرار دادن چهار الکترود بر روی بافت، ابتدا از دو الکترود خارجی جریانی به داخل بافت تزریق کرده و سپس با اندازهگیری ولتاژ خواندهشده بین دو الکترود میانی، امپدانس بافت اندازهگیری میشود. امپدانس بافت دارای قسمت حقیقی و موهومی می¬باشد. بسته به کاربرد، می¬توان از قسمت حقیقی و یا موهومی جهت تشخیص بیماری¬ها استفاده کرد. در روش¬های امروزی با اندازه¬گیری و تقویت ولتاژ حاصل از تزریق جریان به بافت، اغلب با استفاده از مدولاسیون I/Q ، قسمت حقیقی از موهومی جدا می¬شود. در این پژوهش، یک سیستم اندازه¬گیری امپدانس جهت پیش¬بینی قلب¬ مبتلا به اسکیمی، معرفی می¬گردد. سیستم به صورت کامل مجتمع بوده و دارای سه قسمت اصلی شامل منبع جریان، تقویت¬کننده جهت اندازه¬گیری و تقویت ولتاژ و یک مبدل آنالوگ به دیجیتال می¬باشد. کانال اندازه¬گیری امپدانس از قسمت¬های I/Q جهت جداسازی قسمت¬های حقیقی و موهومی استفاده می¬کند. جداسازی قسمت حقیقی و موهومی با استفاده از تکنیک نمونه¬برداری انجام می¬شود. همچنین با استفاده از کالیبراسیون، دقت اندازه¬گیری امپدانس افزایش یافته¬است. مدار پیشنهادی از مزایای ساختار تقویت¬کننده ابزار دقیق با کوپلاژ خازنی (CCIA) شامل حذف ذاتی DC ورودی، توان پایین، نویز کم و خطینگی بالا بهره می¬برد. این مدار در تکنولوژی 180 نانومتر با منبع تغذیه 1.8 ولت پیاده¬سازی شده¬است. جریان تزریق شده به صورت شبه¬سینوسی با دامنه 2 µAp-p و فرکانس 1 kHz است. مدار پیشنهادی قابلیت استخراج امپدانس در رنج 0.01-2.5 kΩ را دارد. توان مصرفی مدار پیشنهادی 24.5 میکرو وات می¬باشدشناسه افزوده : رضایی ده سرخ ، حمیدرضا، استاد راهنما لینک ثابت رکورد: ../opac/index.php?lvl=record_display&id=24748 زبان مدرک : فارسی
شماره ثبت شماره بازیابی نام عام مواد محل نگهداری بخش وضعیت ثبت وضعیت امانت 474پ 474پ پایاننامه کتابخانه سجاد برق اسناد مرجع غیر قابل امانت