کلمه عبورتان را فراموش کردهاید؟
درخواست عضویت
SiGe Heterojunction Bipolar Transistors (2003) / Ashburn ، Peter، نویسنده نوع مدرک:برنامه‌ها و فایلهای کامپیوتریسرشناسهAshburn ، Peter، نویسندهعنوان :SiGe Heterojunction Bipolar Transistorsناشر:بیجا : Wiley-Interscienceسال نشر :2003صفحه شمار:279مندرجات1-Introduction 2-Basic bipolar transistor theory 3-Heavy doping effects 4-Second-order effects 5-High-frequency performance 6-Polysilicon emitters 7-Properties and growth of silicon-Germanium 8-Silicon heterojunction bipolar transistors 9-Silicon bipolar technology 10-Silicon-Germanium heterojunction bipolar tchnology 11-Compact models of bipolar transistots 12-Optimization of silicon and silicon-Germanium bipolar technologiesلینک ثابت رکورد:../opac/index.php?lvl=record_display&id=1123زبان مدرک :English فهرست موجودی مدرک شماره ثبتشماره بازیابینام عام موادمحل نگهداریبخشوضعیت ثبتوضعیت امانتفاقد شماره ثبت نظرهای کاربران درباره این مدرک تعداد نظرات کاربران :0 . برای افزودن نظر خود کلیک نمایید. رای شما : بدون امتیاز بد ضعیف خوب بسیار خوب جذاب موضوع شرح نظر شما
