چکیده
در این گزارش ابتدا به بررسی مدار معادل و المان های معادل سلف خواهیم پرداخت و سپس عملکرد سلف های CMOS، انواع مختلف سلف های مجتمع و توپولوژی های مختلف ساخت سلف مورد بحث قرار خواهند گرفت. تکنولوژی های مختلف ساخت سلف از قبیل MEMS ، GaAs، SOI CMOS، VLSI CMOSو چندین روش برای بهبود ضریب کیفیت سلف نیز معرفی شده است.
در مدارات مجتمع، به سلف داخل تراشه با ضریب کیفیت بالا و فرکانس خود رزونانس بالا نیاز است؛ در صورتی که سلف های داخل تراشه که بر روی زیرلایه های سیلیکونی ساخته می شوند به علت تلفات اهمی و تلفات زیرلایه به موجب تزویج خازنی و مغناطیسی، از ضریب کیفیت پایینی برخوردار هستند.
از این رو تکنیک هایی برای کاهش تلفات پیشنهاد شده است که در پی آن افزایش ضریب کیفیت را در بر خواهد داشت. تکنیک هایی از قبیل پیاده سازی سلف در لایه های فلزی ضخیمبرای بهبود عملکرد سلف های یکپارچه، پوشش زمین الگو داده شده که با یک لایه فلز یا با استفاده از نزدیک ترین لایه ی پلی سیلیکون به زیرلایهبرای حداقل کردن نفوذ میدان الکتریکیو کاهش جریان های گردابی القاء شده توسط میدان مغناطیسی به جهت محدود شدن بخشی از زیرلایه سیلیکونی پراتلاف با مقاومت ویژه پایین، پیشنهاد شده است
