چکیده :
بطور کلی موضوع اصلی این پایان نامه، آنالیز و طراحی تقویت کننده های کم نویز خطی میباشد. برای این منظور در ابتدا به اصلاح رفتار غیرخطی یک نمونه تقویت کننده کم نویز پرداخته شده است بدین ترتیب که با اصلاح ساختاری در آن پارامتر نقطه برخورد ورودی (IIP3) به اندازه 37db افزایش پیدا کرده و به مقدار +3dbm میرسد. البته این میزان خطسانی باعث کاهش گین مدار از 32db به حدود 22db ، افزایش 0.25db عدد نویز و افزایش 15% توان مصرفی شدهاست. همچنین برای اثبات درستی روش در جهت خطیکردن رفتار تقویتکننده هدف، آنالیزهای غیرخطی مربوط با استفاده از سری ولترا صورت گرفته است. در ادامه یک روش جدید برای خطی سازی توپولوژی فولدد کسکود جهت طراحی یک تقویت کننده کم نویز با ولتاژ تغذیه پایین و توان مصرفی پایین ارائه شده است. طراحی در تکنولوژی 0.18µm CMOS ، فرکانس 5GHz با ولتاژ تغذیه 0.6V میباشد. بر اساس این روش پارامتر IIP3 درحدود 14db نسبت به تقویت کننده فولدد کسکود مرسوم افزایش داشته بدون اینکه تاثیر چندانی برروی پارامترهای دیگر مدار از جمله بهره، نویز و توان مصرفی داشته باشد. عدد نویز در این تقویت کننده 3.9db ، بهره 12.4db و توان مصرفی 1.27mW میباشد. چگونگی حذف مولفه های مرتبه سوم و اصلاح رفتار غیرخطی در ساختار جدید نیز به کمک روش سری ولترا تحلیل شده است. کلیه طراحی ها و شبیه سازی ها در این پایان نامه با استفاده از نرم افزار Advanced Design System (ADS2009) در تکنولوژی 0.18µm CMOS و با استفاده از کتابخانه TSMC شبیه سازی صورت گرفته است
