اطلاعات مربوط به نویسنده
نویسنده : محمود قاسمی
رکوردهای مرتبط با این نویسنده
مرتب سازی درج پیشنهاد خرید پالایش جستجو
نوع مدرک: متون چاپی سرشناسه قاسمی ، محمود، نویسنده عنوان : طراحی و بهینه سازی تقویت کننده ی کم نویز تفاضلی تکرار نام مولف : محمود قاسمی سال نشر : 1393 صفحه شمار: 63ص شناسه افزوده : نبوتی ، هومن، استاد راهنما چکیده : چکیده
در این پایان نامه ابتدا به بررسی مدار یک تقویت کننده ی باریک باند کسکود تفاضلی با دژنراسیون سلفی و کوپل متقاطع خازنی پرداخته می شود. در روش دژنراسیون سلفی، یک سلف کم اندوکتانس به سورس ترانزیستور ورودی، که دارای ترکیب سورس- مشترک است و حکم ترانزیستور اصلی را دارد، متصل می شود. بخش اعظم حذف خازن پارازیتیک گیت- سورس ترانزیستور اصلی توسط سلف اتصال یافته به گیت این ترانزیستور صورت می گیرد. عمل مشترک این سلف و ترانزیستور اصلی با عرض خاص، بعلاوه ی اثر اندک سلف دژنراتیو واقع در سورس باعث حذف اثر خازنی گیت- سورس ترانزیستور اصلی می شود و تطبیق مناسب ورودی که شامل دست یابی به مقاومت حقیقی 50Ω است را بدنبال می آورد. کوپل متقاطع خازنی از طریق کوپلاژ خازنی گیت هریک از ترانزیستورهای کسکود به سورس ترانزیستور کسکود دیگر سبب افزایش ترارسانایی این دو ترانزیستور و خطی سازی بهتر می شود، و بطور طبیعی اما قدری کمتر باعث کاهش اثر میلر ترانزیستور اصلی نیز می شود. افزودن سلفی بنام L_add به گیت ترانزیستور کسکود در صورتی که r_o در هر یک از دو ترانزیستور اصلی و کسکود واقع در مونتاژ کسکود بقدر کافی بزرگ باشند، سبب اصلاح خطی سازی و نویز می شود. تا این مرحله با انجام شبیه سازی بکمک نرم افزار Agilent ADS و بکاربردن کتابخانه ی TSMC 0.18μm ، عدد نویز معادل 1.9dB و بهره ی توان 10dB حاصل می شود، ضمن اینکه S11 معادل dB 9.5- است و جریان نیز 12.33mA از منبع 1.8V کشیده می شود. در ادامه با اجرای روش پیشنهادی، که شامل اتصال موازی یک خازن کوچک به بالون ورودی و انجام تغییراتی بر روی ابعاد المانهای مدار به منظور تطبیق با شرایط جدید می باشد، مقدار نویز به 0.981dB کاهش می یابد. اتصال این خازن سبب می شود که دست یابی به عدد نویز کمتر از 1dB به گونه ای که همراه با S11 عالی و نیز سلف متصل به گیت با اندوکتانسی کمتر از 10nH باشد، بخوبی میسر شود. نقطه ی فشرده سازی 1dB ورودی در این حالت در حدود 3dBm است. مدار اصلاح شده در برابر رنج تغییرات دما از -45℃ تا 85℃ بشدت مقاوم است و در تمام گوشه های پروسس و نیز نسبت به نوسانات منبع ولتاژ پایداری خیلی خوبی دارد. تنها ایراد این مدار شاید مصرف توان آن باشد که شامل جریان 14.4mA از منبع ولتاژ 1.8V است.
واژه های کلیدی : پارامترهای پراکندگی، تقویت کننده کم نویز، دژنراسیون سلفی، کسکود تفاضلی، کوپل متقاطع خازنیلینک ثابت رکورد: ../opac/index.php?lvl=record_display&id=14324 زبان مدرک : فارسی
شماره ثبت شماره بازیابی نام عام مواد محل نگهداری بخش وضعیت ثبت وضعیت امانت 233پ 233پ پایان‌نامه کتابخانه سجاد برق - الکترونیک اسناد مرجع غیر قابل امانت
