در این پایاننامه، طراحی تقویتکنندهی کمنویز باند باریک در فرکانس کار 10 گیگاهرتز با پهنای باند 500 مگاهرتز انجام شده است. اهداف این طراحی شامل بهرهی 20 دسیبل، تطبیق امپدانس ورودی و خروجی و حداقل نویزفیگر و توان مصرفی ممکن است. برای LNA باند باریک دو ساختار پیشنهاد شده است که با استفاده از نرمافزار کیدنس و در فنّاوری TSMC 0.18-µm CMOS و ولتاژ تغذیهی 5/1 ولت شبیهسازی شدهاند. توان مصرفی مدار اول و مدار دوم به ترتیب 5/25 میلیوات و 5/34 میلیوات است. هر دو ساختار از دو مسیر گیت مشترک و سورس مشترک تشکیل شدهاند. مدار پیشنهادی 1 شامل دو طبقهی سورس مشترک میشود که بهرهی 1/14 دسیبل، نویزفیگر 7/2 دسیبل و تطبیق امپدانس ورودی 68/11- دسیبل را به دست آورده است. درحالیکه مدار پیشنهادی 2 از سه ترانزیستور سورس مشترک تشکیل شده است و علاوه بر بهرهی بالای 38/32 دسیبل توانسته نویزفیگر 63/2 دسیبل و تطبیق امپدانس ورودی 57/19- دسیبل را در فرکانس 10 گیگاهرتز به دست آورد. همچنین، این دو مدار در گوشههای فرآیند نیز شبیهسازی شدند که نتایج بدون تغییری حاصل شده است و بیانگر پایداری مدارهای پیشنهادی در شرایط دمایی مختلف است. در ادامهی کار، مقایسهای بین نتایج مدارهای پیشنهادی در دو حالت با و بدون تکنیک تطبیق امپدانس ورودی انجام شد که نشان داد بدون تکنیک تطبیق امپدانس ورودی جوابهای بهتری بدست آمد.
طراحی تقویتکنندهی کمنویز باند پهن هدف تکمیلی در این پایاننامه است که یک LNA سه طبقه است. مدار باند پهن از دو طبقه با ترانزیستور سورس مشترک دیجنریت سلفی با سلف در گیت آن برای تطبیق امپدانس در ورودی و نیز طبقهی سوم که ترانزیستور سورس مشترک است برای افزایش بهره و رسیدن به تطبیق امپدانس خروجی در پهنای باند 1/3 تا 6/10 گیگاهرتز استفاده شده است. شبیهسازی این مدار نیز با استفاده از نرمافزار کیدنس و در فنّاوری TSMC 0.18-µm CMOS و با ولتاژ تغذیهی 8/1 ولت انجام شده است. این LNA 88/29 میلیوات توان مصرف میکند. برای این تقویتکننده، بهرهی میانگین 14/22 دسیبل و نویزفیگر کمتر از 4 دسیبل حاصل شده است. بعلاوه، تطبیق امپدانس در ورودی بهتر از 13- دسیبل و در خروجی کمتر از 73/14- دسیبل است