رکوردهای مرتبط با این نویسنده

بررسی و تحلیل تاثیر امواج جمینگ بر امواج ماهواره‌ای پخش و روش‌های کاهش آن‌ها (1394) / نهبندان بخت ، علی، نویسنده

نوع مدرک: متون چاپی سرشناسه نهبندان بخت ، علی، نویسنده عنوان : بررسی و تحلیل تاثیر امواج جمینگ بر امواج ماهواره‌ای پخش و روش‌های کاهش آن‌ها تکرار نام مولف : علی نهبندان دخت سال نشر : 1394 صفحه شمار: 86ص شناسه افزوده : مافی نژاد ، خلیل (1326)، استاد راهنما چکیده : چکیده در این پایان‌نامه، در زمینه بهداشت RF، اطلاعات چند استاندارد مورد بررسی قرار می‌گیرد که بر اساس اطلاعات استخراجی از آن‌ها، محدودیت‌هایی برای فرکانس‌های پارازیتی باند Ku، ایجاد شده است. در این زمینه چند حالت ممکن برای توان پارازیت پیش‌بینی شده که نتیجه آن برای حالتی که LNBرا به اشباع ببرد خطر امواج پارازیت را که بسیار فراتر از حدود استاندارد می‌شود را نشان می‌دهد. در ادامه، چند روش و تکنیک حفاظت سلامتی و سیستم در مقابل امواج پارازیت بررسی شده است. همچنین سعی شده تا با ارائه ایده‌هایی، چند روش برای ساخت سلامت‌سنج باند Kuبیان شود که در این مورد، در نظر گرفتن شرایط پارازیت، ساخت سیستم را ساده‌تر می‌کند لینک ثابت رکورد: ../opac/index.php?lvl=record_display&id=14262 زبان مدرک : فارسی

 فهرست موجودی مدرک

شماره ثبت	شماره بازیابی	نام عام مواد	محل نگهداری	بخش	وضعیت ثبت	وضعیت امانت
186پ	186پ	پایان‌نامه	کتابخانه سجاد	برق - الکترونیک	اسناد مرجع	غیر قابل امانت

 نظرهای کاربران درباره این مدرک

تعداد نظرات کاربران :0 . برای افزودن نظر خود کلیک نمایید.

رای شما : بدون امتیاز بد ضعیف خوب بسیار خوب جذاب

موضوع

شرح نظر شما

تحلیل و بررسی سوییچ های RF MEMS و طراحی و شبیه سازی سوییچ با ایزولاسیون بالا (1392) / پوران دوست ، رضا، نویسنده

نوع مدرک: متون چاپی سرشناسه پوران دوست ، رضا، نویسنده عنوان : تحلیل و بررسی سوییچ های RF MEMS و طراحی و شبیه سازی سوییچ با ایزولاسیون بالا تکرار نام مولف : رضا پوران دوست سال نشر : 1392 صفحه شمار: 41ص شناسه افزوده : مافی نژاد ، خلیل (1326)، استاد راهنما چکیده : چکیده قطعات MEMS بدلیل مزایایی از قبیل توان تلفاتی کم، وزن و قیمت کمی که دارند بسیار مورد توجه قرار گرفته اند و امروزه در سیستم های RF فرکانس بالا بسیار مورد استفاده قرار می گیرند. یکی از مهمترین المان های که قطعات MEMS دارند سوئیچ ها می باشند که دارای قابلیت مجتمع سازی هستند. سوئیچ ها در مقایسه با قطعات نیمه هادی از توان مصرفی خیلی پایین، فرکانس قطع بالا، تلفات داخلی کمتر و همچنین ایزولاسیون بالایی برخوردارند. به همین دلیل کاربرد این سوئیچ ها در صنایع هوا فضا، ارتباطات، صنعت خودرو سازی، موبایل و غیره بیش از گذشته شده است. یکی از پارامترهایی که در طراحی سوئیچ MEMS وجود دارد و پر اهمیت می باشد ایزولاسیون یک سوئیچ است. این پارامتر در یک سوئیچ MEMS در صورت نرسیدن سیگنال ورودی به بار که در واقع به حالت قطع بار معروف است ایجاد می شود که در حالت ایده ال ما انتظار داریم مقدار آن بی نهایت باشد لینک ثابت رکورد: ../opac/index.php?lvl=record_display&id=14233 زبان مدرک : فارسی

 فهرست موجودی مدرک

شماره ثبت	شماره بازیابی	نام عام مواد	محل نگهداری	بخش	وضعیت ثبت	وضعیت امانت
154پ	154پ	پایان‌نامه	کتابخانه سجاد	برق - الکترونیک	اسناد مرجع	غیر قابل امانت

 نظرهای کاربران درباره این مدرک

تعداد نظرات کاربران :0 . برای افزودن نظر خود کلیک نمایید.

رای شما : بدون امتیاز بد ضعیف خوب بسیار خوب جذاب

موضوع

شرح نظر شما

تقویت کننده های نویز کم در سیستم های UWB (1393) / کلاته آقا محمدی ، داوود، نویسنده

نوع مدرک: متون چاپی سرشناسه کلاته آقا محمدی ، داوود، نویسنده عنوان : تقویت کننده های نویز کم در سیستم های UWB تکرار نام مولف : داوود کلاته آقامحمدی سال نشر : 1393 صفحه شمار: 75ص شناسه افزوده : مافی نژاد ، خلیل (1326)، استاد راهنما چکیده : چکیده در این پایان نامه ما ابتدا به معرفی و شناخت سیستم های UWB در تکنولوژی CMOS پرداخته و از آنجایی که نویز در این سیستم ها بسیار مهم است، به تکنیک های مورد استفاده برای بهینه سازی نویز می پردازیم. در ادامه به مرور چند ساختار تقویت-کننده کم نویز که به ترتیب شامل تقویت کننده distributed، تقویت کننده cascade، تقویت کننده سورس-مشترک با سلف دیژنراسیون، تقویت کننده cascade با تکنیک اینورتر با فیدبک مقاومتی،تقویت کننده CGو cascode، تقویت کننده cascade و cascode با استفاده از تکنیک CurrentReuse پرداخته و نفاط قوت و ضعف این تقویت کننده ها را بررسی نموده و در ادامه تقویت کننده پیشنهادی را معرفی می نماییم. سپس ضریب شایستگی برای تقویت کننده های مورد بررسی معرفی نموده، آنگاه مقایسه ای بین تقویت کننده های مورد بررسی با تقویت کننده پیشنهادی آورده شده است و در انتها نتیجه-گیری و پیشنهاد آمده است لینک ثابت رکورد: ../opac/index.php?lvl=record_display&id=14172 زبان مدرک : فارسی

 فهرست موجودی مدرک

شماره ثبت	شماره بازیابی	نام عام مواد	محل نگهداری	بخش	وضعیت ثبت	وضعیت امانت
63پ	63پ	پایان‌نامه	کتابخانه سجاد	برق - الکترونیک	اسناد مرجع	غیر قابل امانت

 نظرهای کاربران درباره این مدرک

تعداد نظرات کاربران :0 . برای افزودن نظر خود کلیک نمایید.

رای شما : بدون امتیاز بد ضعیف خوب بسیار خوب جذاب

موضوع

شرح نظر شما

خطی سازی (1395) / محمدی ، سعید، نویسنده

نوع مدرک: متون چاپی سرشناسه محمدی ، سعید، نویسنده عنوان : خطی سازی تکرار نام مولف : سعید محمدی سال نشر : 1395 صفحه شمار: 57ص یادداشت چکیده این پایان نامه یک روش خطی سازی را ارائه می دهد که بخاطر کاهش در فضای اشغالی، توان و هزینه برای دستگاه های بیسیم پیشنهاد می شود. به منظور درک بهتر از تکنیک های خطی سازی قدیمی، یک نمای کلی از عملکرد، مزایا و معایب تکنیک های قدیمی ارائه شده است.روش پیشنهادی براساس تکنولوژی 0.18 میکرومتر برای کاربردهایی با فرکانس 100 کیلوهرتز تا 100 مگاهرتز قابل استفاده است. سیستم پیشنهادی شامل چهار تقویت کننده یک تضعیف کننده و دو تفریق کننده است.با تنظیم مناسب پارامترهای تقویت کننده ها از قبیل گین و نقطه قطع خروجی مرتبه سوم مولفه های غیر خطی سیگنال خروجی نهایی می تواند کاهش داده شود.این نتیجه ی غیر منتظره در یک ساختار ساده بدست آمده است که براحتی در مدارات مجتمع قابل پیاده سازی است و نیازی به قطعات بزرگ خارج ازICندارد. حذف اعوجاج مرتبه سوم به خوبی با تنظیم جریان بایاس و ابعاد ترانزیستورها انجام می شود.بسیاری از تکنیک های قدیمی خطی سازی تنها قابل اعمال در فرستنده ها هستند در حالی که این تکنیک خطی سازی می تواند برای گیرنده ها هم استفاده شود. نتایج اندازه‌گیری شده بهبود db 43.13 در نقطه‌ی قطع خروجی مرتبه‌ی سوم را نشان می‌دهد. از نرم افزار cadence ic برای شبیه سازی استفاده شده است.برای اندازه گیری P_1db از تحلیل pss و برای اندازه گیری 〖IMD〗_3و 〖OIP〗_3 از تحلیل qpss استفاده شده است شناسه افزوده : مافی نژاد ، خلیل (1326)، استاد راهنما لینک ثابت رکورد: ../opac/index.php?lvl=record_display&id=14892 زبان مدرک : فارسی

 فهرست موجودی مدرک

شماره ثبت	شماره بازیابی	نام عام مواد	محل نگهداری	بخش	وضعیت ثبت	وضعیت امانت
256پ	256پ	پایان‌نامه	کتابخانه سجاد	برق	اسناد مرجع	غیر قابل امانت

 نظرهای کاربران درباره این مدرک

تعداد نظرات کاربران :0 . برای افزودن نظر خود کلیک نمایید.

رای شما : بدون امتیاز بد ضعیف خوب بسیار خوب جذاب

موضوع

شرح نظر شما

طراحی بهینه سوئیچ های خازنی RF-MEMS در باند K (1391) / شیخ الاسلامی ، محمدمجتبی، نویسنده

نوع مدرک: متون چاپی سرشناسه شیخ الاسلامی ، محمدمجتبی، نویسنده عنوان : طراحی بهینه سوئیچ های خازنی RF-MEMS در باند K تکرار نام مولف : محمـد مجـتبـی شیـخ الاســلامی سال نشر : 1391 صفحه شمار: 92ص شناسه افزوده : مافی نژاد ، خلیل (1326)، استاد راهنما چکیده : چکیده امروزه ارتباطات بی سیم سبب پیشرفت غیرمنتظره و فوق سریع تکنولوژی RF-MEMS شده است، تکنولوژی ای که پتانسیل جایگزینی با تکنولوژی های نیمه هادی ، بی سیم و مکانیکی در سیستم های مخابراتی آینده مثل مخابرات بی سیم را دارد. تکنولوژی RF-MEMS با ترکیب عملکرد RF عالی، هزینه و تلفات توان کم، اجازه کشف معماری و پیکربندی ای جدید که با تکنولوژی های مرسوم امکان پذیر نیست، را می دهد. در این پروژه انواع سوئیچ های RF-MEMS و چالش های روبه رو مورد بررسی قرار گرفته و سپس به طراحی وبهینه سازی سوئیچی با مشخصات RF عالی و پوشش باند فرکانسی مناسب در باند K برای کاربرد مخابرات ماهواره ای با استفاده از الگوریتم ژنتیک چند هدفه پرداخته شده است لینک ثابت رکورد: ../opac/index.php?lvl=record_display&id=14208 زبان مدرک : فارسی

 فهرست موجودی مدرک

شماره ثبت	شماره بازیابی	نام عام مواد	محل نگهداری	بخش	وضعیت ثبت	وضعیت امانت
113پ	113پ	پایان‌نامه	کتابخانه سجاد	برق - الکترونیک	اسناد مرجع	غیر قابل امانت

 نظرهای کاربران درباره این مدرک

تعداد نظرات کاربران :0 . برای افزودن نظر خود کلیک نمایید.

رای شما : بدون امتیاز بد ضعیف خوب بسیار خوب جذاب

موضوع

شرح نظر شما

طراحی تقویت کننده کم نویز باند فراپهن CMOS (1394) / پورجعفریان ، معصومه، نویسنده

نوع مدرک: متون چاپی سرشناسه پورجعفریان ، معصومه، نویسنده عنوان : طراحی تقویت کننده کم نویز باند فراپهن CMOS تکرار نام مولف : معصومه پورجعفریان سال نشر : 1394 صفحه شمار: 74ص شناسه افزوده : مافی نژاد ، خلیل (1326)، استاد راهنما رضایی ده سرخ ، حمیدرضا، استاد راهنما چکیده : در این پایان نامه، طراحی تقویت کننده کم نویز باند فراپهن در پهنای باند 3/1GHz تا 10/6GHz با هدف رسیدن به کم ترین نویز ممکن انجام شده است و سه ساختار متفاوت برای UWB LNA پیشنهاد شده است. اولین ساختار پیشنهادی که با استفاده از Advanced Design system در فناوری TSMC 0.18-µm CMOS شبیه سازی شده است. شامل دو طبقه کسکود و یک طبقه خروجی است با بهره 131/8 db و نویز فیگر db 0/59+3/71 در پهنای باند 2/7 GHz تا 11/6 GHz . ساختار دوم در Cadence Spectre RF و با فناوری TSMC 0.18-µm CMOS شبیه سازی شده است. این LAN بهره 8/89  1/59 dB و نویز فیگر 4/52  1/25 dBبه دست آورده است. در ساختار پیشنهادی دوم به منظور کاهش نویز القایی بدنه به درین، سورس و بدنه هر ترانزیستور با یک مقاومت بزرگ به یکدیگر متصل شده اند.این کاهش نویز با روابط ریاضی و شبیه سازی اثبات شده است.سومین ساختار پیشنهادی نیز در Cadence Spectre RF و با استفاده از دو فناوری TSMC 90-nm CMOS ٍ TSMC 0.18-µm CMOS شبیه سازی شده است. این ساختار در هردو فناوری عملکرد بسیار خوبی دارد.در 180 nm علاوه بر بهره بالا،‌نویز فیگر بسیار کمی به دست می آوردکه یکی از کم ترین مقادیر گزارش شده برای نویز فیگر در پنای باند وسیع محسوب می شود. بهره و نویز فیگر این LAN به ترتیب 2/53  1/16 dB ٍ 12/5  1/3 dB در باند فرکانسی 3 GHz تا 10 GHz هستند. در 90 nm برای ولتاژ 1/2 V بهره 13/52  1/37 dB و نویز فیگر 3/49  1/24 dBدر پهنای باند 11/7 GHz تا3 GHz و برای ولتاژ 1 V بهره 11/35  1/5 dB و نویز فیگر 10 GHz تا3 GHz در3/29  1/12 dB نتیجه شده است لینک ثابت رکورد: ../opac/index.php?lvl=record_display&id=14293 زبان مدرک : فارسی

 فهرست موجودی مدرک

شماره ثبت	شماره بازیابی	نام عام مواد	محل نگهداری	بخش	وضعیت ثبت	وضعیت امانت
214پ	214پ	پایان‌نامه	کتابخانه سجاد	برق - مخابرات	اسناد مرجع	غیر قابل امانت

 نظرهای کاربران درباره این مدرک

تعداد نظرات کاربران :0 . برای افزودن نظر خود کلیک نمایید.

رای شما : بدون امتیاز بد ضعیف خوب بسیار خوب جذاب

موضوع

شرح نظر شما

طراحی تقویت‌کننده‌ی کم‌نویز باند باریک CMOS (1397) / محمدی ، طیبه، نویسنده

نوع مدرک: متون چاپی سرشناسه محمدی ، طیبه، نویسنده عنوان : طراحی تقویت‌کننده‌ی کم‌نویز باند باریک CMOS تکرار نام مولف : طیبه محمدی سال نشر : 1397 صفحه شمار: 78ص یادداشت چکیده در این پایان‌نامه، طراحی تقویت‌کننده‌ی کم‌نویز باند باریک در فرکانس کار 10 گیگاهرتز با پهنای باند 500 مگاهرتز انجام شده است. اهداف این طراحی شامل بهره‌ی 20 دسی‌بل، تطبیق امپدانس ورودی و خروجی و حداقل نویز‌فیگر و توان مصرفی ممکن است. برای LNA باند باریک دو ساختار پیشنهاد شده است که با استفاده از نرم‌افزار کیدنس و در فنّاوری TSMC 0.18-µm CMOS و ولتاژ تغذیه‌ی 5/1 ولت شبیه‌سازی ‌شده‌اند. توان مصرفی مدار اول و مدار دوم به ترتیب 5/25 میلی‌وات و 5/34 میلی‌وات است. هر دو ساختار از دو مسیر گیت مشترک و سورس مشترک تشکیل شده‌اند. مدار پیشنهادی 1 شامل دو طبقه‌ی سورس مشترک می‌شود که بهره‌ی 1/14 دسی‌بل، نویز‌فیگر 7/2 دسی‌بل و تطبیق امپدانس ورودی 68/11- دسی‌بل را به دست آورده است. در‌حالی‌که مدار پیشنهادی 2 از سه ترانزیستور سورس مشترک تشکیل شده است و علاوه بر بهره‌ی بالای 38/32 دسی‌بل توانسته نویز‌فیگر 63/2 دسی‌بل و تطبیق امپدانس ورودی 57/19- دسی‌بل را در فرکانس 10 گیگاهرتز به دست آورد. هم‌چنین، این دو مدار در گوشه‌های فرآیند نیز شبیه‌سازی شدند که نتایج بدون تغییری حاصل شده است و بیان‌گر پایداری مدارهای پیشنهادی در شرایط دمایی مختلف است. در ادامه‌ی کار، مقایسه‌ای بین نتایج مدارهای پیشنهادی در دو حالت با و بدون تکنیک تطبیق امپدانس ورودی انجام شد که نشان داد بدون تکنیک تطبیق امپدانس ورودی جواب‌های بهتری بدست آمد‌. طراحی تقویت‌کننده‌ی کم‌نویز باند پهن هدف تکمیلی در این پایان‌نامه است که یک LNA سه طبقه است. مدار باند پهن از دو طبقه با ترانزیستور سورس مشترک دیجنریت سلفی با سلف در گیت آن برای تطبیق امپدانس در ورودی و نیز طبقه‌ی سوم که ترانزیستور سورس مشترک است برای افزایش بهره و رسیدن به تطبیق امپدانس خروجی در پهنای باند 1/3 تا 6/10 گیگاهرتز استفاده شده است. شبیه‌سازی این مدار نیز با استفاده از نرم‌افزار کیدنس و در فنّاوری TSMC 0.18-µm CMOS و با ولتاژ تغذیه‌ی 8/1 ولت انجام شده است. این LNA 88/29 میلی‌وات توان مصرف می‌کند. برای این تقویت‌کننده، بهره‌ی میانگین 14/22 دسی‌بل و نویز‌فیگر کم‌تر از 4 دسی‌بل حاصل شده است. بعلاوه، تطبیق امپدانس در ورودی بهتر از 13- دسی‌بل و در خروجی کم‌تر از 73/14- دسی‌بل است شناسه افزوده : مافی نژاد ، خلیل (1326)، استاد راهنما لینک ثابت رکورد: ../opac/index.php?lvl=record_display&id=25054 زبان مدرک : فارسی

 فهرست موجودی مدرک

شماره ثبت	شماره بازیابی	نام عام مواد	محل نگهداری	بخش	وضعیت ثبت	وضعیت امانت
533پ	533پ	پایان‌نامه	کتابخانه سجاد	برق - الکترونیک	اسناد مرجع	غیر قابل امانت

 نظرهای کاربران درباره این مدرک

تعداد نظرات کاربران :0 . برای افزودن نظر خود کلیک نمایید.

رای شما : بدون امتیاز بد ضعیف خوب بسیار خوب جذاب

موضوع

شرح نظر شما

طراحی و شبیه سازی تقویت کننده عملیاتی کم نویز با آفست کم با استفاده از تکنیک برشگر تثبیت شده (1397) / زال ، وحید، نویسنده

نوع مدرک: متون چاپی سرشناسه زال ، وحید، نویسنده عنوان : طراحی و شبیه سازی تقویت کننده عملیاتی کم نویز با آفست کم با استفاده از تکنیک برشگر تثبیت شده تکرار نام مولف : وحید زال سال نشر : 1397 صفحه شمار: 57ص یادداشت از طرف دیگر، با روند کاهش ابعاد طراحی های مدار های مجتمع، سطح ولتاژ تغذیه مدار، در حال کمتر شدن است. این امر نیز باعث افزایش چالش های طراحی تقویت کننده های عملیاتی می شود. که از جمله می توان به کاهش ذخیره سازی ولتاژ، کاهش حالت مشترک و تفاضلی دامنه سیگنال ورودی اشاره کرد. این مسئله همراه با کاهش سطح نویز نیست و باید نسبت سیگنال به نویز افزایش یابد. برای حل این چالش، علاوه بر استفاده از روش کاهش نویز، با استفاده از دو زوج ورودی NMOS و PMOS، از قابلیت Rail-to-Rail دریافت سیگنال ورودی نیز استفاده شده است تا علاوه بر کاهش نویز، دامنه ولتاژ حالت مشترک ورودی نیز افزایش یابد. ساختار پیشنهادی با تکنولوژی استاندارد CMOS 180nm طراحی و شبیه سازی شده است. دامنه ولتاژ حالت مشترک ورودی از صفر ولت تا مقدار ولتاژ تغذیه مدار که 1.8V است، می باشد. مقدار جریان مصرفی این ساختار 12.8µA می باشد. فرکانس کلید زنی چاپر 50kHz می باشد. با استفاده از روش کاهش نویز، مقدار چگالی طیفی ولتاژ نویز تا 45nV/√Hz کاهش می یابد شناسه افزوده : مافی نژاد ، خلیل (1326)، استاد راهنما رضایی ده سرخ ، حمیدرضا، استاد راهنما لینک ثابت رکورد: ../opac/index.php?lvl=record_display&id=25407 زبان مدرک : فارسی

 فهرست موجودی مدرک

شماره ثبت	شماره بازیابی	نام عام مواد	محل نگهداری	بخش	وضعیت ثبت	وضعیت امانت
610پ	610پ	پایان‌نامه	کتابخانه سجاد	برق	اسناد مرجع	غیر قابل امانت

 نظرهای کاربران درباره این مدرک

تعداد نظرات کاربران :0 . برای افزودن نظر خود کلیک نمایید.

رای شما : بدون امتیاز بد ضعیف خوب بسیار خوب جذاب

موضوع

شرح نظر شما

طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز در باند X (1397) / مهیار ، ملازاده، نویسنده

نوع مدرک: متون چاپی سرشناسه مهیار ، ملازاده، نویسنده عنوان : طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز در باند X تکرار نام مولف : مهیار ملازاده سال نشر : 1397 صفحه شمار: 74ص یادداشت چکیده در یک گیرنده اولین طبقه تقویت کنندگی یک تقویت کننده کم نویز (LNA) می باشد که برای تقویت سیگنال های دریافتی از آنتن به کار می رود. طبقه LNA موجب می شود که نویز طبقات بعد به وسیله بهره آن کاهش یابد اما نویز خودش مستقیما به سیگنال ورودی تزریق می گردد. لذا یک پیش شرط تقویت کننده کم نویز افزودن نویز و اختلال بسیار مختصر به مدار است تا بازیابی سیگنال در طبقات بعد میسر گردد. فن آوری CMOS بدلیل ارزانی مطلوب ترین افزاره در طراحی مدارات مجتمع می باشد و استفاده از آرایش های CS و CG روشهای معمول در طراحی این نوع تقویت کننده ها می باشد. یک تقویت کننده سورس مشترک بطور ذاتی برای کاربردهای باند باریک مورد استفاده قرار میگیرد و نسبت به آرایش CG از عدد نویز مطلوب تر و بهره بالاتری برخوردار است. می توان با تمهیداتی از این آرایش جهت کاربردهای پهن باند تر نیز استفاده نمود که اساس ساز و کار این گزارش بر پایه آن می باشد. این تمهیدات شامل افزودن شبکه های RLC در در فرکانس های تشدیدی که باندازه کافی از یکدیگر جداسازی شده اند می باشد. این جداسازی بقدر مطلوب موجب پهن باند شدن تقویت کننده سورس مشترک گردیده که همزمان بطور ذاتی از عدد نویز و بهره خوبی برخوردار می باشد. در این گزارش توپولوژی های پایه و انواع تقویت کننده های کم نویز مورد بررسی قرار گرفته است. سپس تکنیک های جدید مورد استفاده در مقالات بررسی گردیده و یک نمونه از آن ها شبیه سازی و نتایج آن گزارش گردیده است. پس از آن دو مدار پیشنهادی در باند X بین 8 تا 12 گیگاهرتز طراحی و شبیه سازی شده است. کلمات کلیدی: تقویت کننده های کم نویز شناسه افزوده : مافی نژاد ، خلیل (1326)، استاد راهنما لینک ثابت رکورد: ../opac/index.php?lvl=record_display&id=24800 زبان مدرک : فارسی

 فهرست موجودی مدرک

شماره ثبت	شماره بازیابی	نام عام مواد	محل نگهداری	بخش	وضعیت ثبت	وضعیت امانت
490پ	490پ	پایان‌نامه	کتابخانه سجاد	برق - الکترونیک	اسناد مرجع	غیر قابل امانت

 نظرهای کاربران درباره این مدرک

تعداد نظرات کاربران :0 . برای افزودن نظر خود کلیک نمایید.

رای شما : بدون امتیاز بد ضعیف خوب بسیار خوب جذاب

موضوع

شرح نظر شما

طراحی و شبیه سازی سیستم رسانش دارویی قابل کاشت بااستفاده از تکنولوژی BIO MEMS (1394) / مالکی ، محمد جواد، نویسنده

نوع مدرک: متون چاپی سرشناسه مالکی ، محمد جواد، نویسنده عنوان : طراحی و شبیه سازی سیستم رسانش دارویی قابل کاشت بااستفاده از تکنولوژی BIO MEMS تکرار نام مولف : محمد جواد مالکی سال نشر : 1394 صفحه شمار: 26ص یادداشت چکیده در این پایان‌نامه کاشت یک دستگاه رسانش دارویی با تکنولوژی MEMS ، برای هدایت میزان داروی مورد نظر به بافت هدف را بررسی خواهیم کرد. ایده، طراحی یک سوئیچ MEMS با قابلیت کنترل بیسیم است. شکل فیزیکی دستگاه بگونه‌ای طراحی می‌شود که مناسب برای کاشت در بدن باشد. به وسیله اعمال یک میدان الکترومغناطیسی خارج از بدن، میزان داروی آزاد شده کنترل می‌گردد. سوئیچ قرار گرفته شده در دهانه مخزن، بایستی به‌گونه‌ای طراحی شود تا با حداقل توان ممکن جابجا گردد. یک مدار LC به عنوان سوئیچ استفاده شده‌است که اعمال میدان در فرکانس رزونانس، سبب گرم شدن سوئیچ و حرکت آن می‌شود. همچنین میزان دارو و زمان آزاد سازی دارو بایستی قابل کنترل باشد. فرکانس کاری سوئیچ در حدود 170 مگاهرتز می‌باشد و توان لازم برای کنترل دریچه 1/1 وات است. ابعاد سوئیچ طراحی شده 7/2×2/9 میلیمتر مربع است و ابعاد مخزن وابسته به حجم داروی مورد استفاده است. شبیه‌سازی‌های انجام شده توسط نرم‌افزار COMSOL می‌باشد. واژگان کلیدی: رسانش دارویی، MEMS، مدار LC، فرکانس رزونانس شناسه افزوده : مافی نژاد ، خلیل (1326)، استاد راهنما اسدپور ، وحید (1355)، استاد راهنما لینک ثابت رکورد: ../opac/index.php?lvl=record_display&id=22325 زبان مدرک : فارسی

 فهرست موجودی مدرک

شماره ثبت	شماره بازیابی	نام عام مواد	محل نگهداری	بخش	وضعیت ثبت	وضعیت امانت
376پ	376پ	پایان‌نامه	کتابخانه سجاد	برق - الکترونیک	اسناد مرجع	غیر قابل امانت

 نظرهای کاربران درباره این مدرک

تعداد نظرات کاربران :0 . برای افزودن نظر خود کلیک نمایید.

رای شما : بدون امتیاز بد ضعیف خوب بسیار خوب جذاب

موضوع

شرح نظر شما

طراحی و شبیه سازی شتاب سنج خازنی MEMS (1392) / سروقدمقدم ، محمد، نویسنده

نوع مدرک: متون چاپی سرشناسه سروقدمقدم ، محمد، نویسنده عنوان : طراحی و شبیه سازی شتاب سنج خازنی MEMS تکرار نام مولف : محمد سروقد مقدم سال نشر : 1392 صفحه شمار: 124ص شناسه افزوده : مافی نژاد ، خلیل (1326)، استاد راهنما چکیده : چکیده : بعد از آشنایی کافی در مورد ادوات MEMS به طور کامل انواع شتاب سنج ها را مورد بررسی قرار دادیم و پس از آن در مورد نوع پرکاربردتر شتاب سنج ها که همان شتاب سنج خازنی MEMS است به توضیح وتفسیر بیشتری پرداختیم و انواع مختلف آن را که تقسیم می شود به تک محوره، دو محوره و سه محوره به طور کامل تشریح کردیم و در مرحله بعد کاربرد شتاب سنج در خودرو را مورد بررسی قرار دادیم و طبق شتاب لازمه برای تشخیص تصادف خودرو از جلو که بین g 20 تا g 100حداقل و حداکثر رنج شتاب قابل سنس می باشد پل های مختلف شتاب سنج خازنی MEMS را توسط 3 نرم افزار قدرتمندANSYS، MATLAB ، COVENTOR در رنج ذکر شده برای شتاب، شبیه سازی کرده و پارامترهای مربوطه، همچون ماکزیمم میزان خمش، تنش، کرنش مکانیکی، کرنش الاستیکی، ولتاژ تحریک، ولتاژ شکست، فرکانس تشدید، ضریب دمپینگ، نرخ دمپینگ، ضریب کیفیت و ظرفیت خازنی را بر حسب شتاب بدست آوردیم و در نهایت مقادیر مربوط به این پارامتر ها و همچنین نمودارهای مقایسه این پارامترها را برای پل های ارائه شده به طور کامل گزارش نمودیم. همان طور که قبلا هم ذکر شد یکی از پارامترهایی که می توانیم با کاهش آن ولتاژ تحریک را پایین بیاوریم ضریب فنر می باشد (ضریب فنر از ساختار 1 به7 کاهش میابد) بنابراین ما با طرح یک پل جدید توانستیم ضریب فنر را تا حد قابل قبول به طوری که شتاب سنج در رنج کاری خود دچار ناپایداری نشود و قابلیت اطمینان خوبی نیز داشته باشد پایین بیاوریم و بدین صورت به ولتاژ تحریکی کمتر از بقیه طرح های ارائه شده برسیم. همچنین طرح پیشنهادی از نرخ دمپینگ و ضریب کیفیت بهینه ای در مقایسه با دیگر پل ها برخوردار است به این صورت که هم دارای ضریب کیفیتی با مقدار بالا و مناسبی می باشد و می تواند باعث کاهش تلفات، نویز، توان مصرفی شود و هم با داشتن مقدار مناسب ضریب کیفیت دارای نرخ دمپینگی بالاتر از ساختارهای دیگر باشد که این مزیت باعث کاهش در زمان نشست پل می شود و پل پیشنهادی در مدت زمان کمتری می تواند به حالت سکون برسد و همچنین از سرعت بالایی نیز برخوردار است. مزیت دیگری که می توان برای این طرح برشمرد میزان حساسیت نسبت به شتاب این ساختار می باشد که در مقایسه با دیگر ساختارها از حساسیت بالاتری برخوردار است. مهمترین مزیتی که که طرح پیشنهادی را می تواند از بقیه طرح ها متمایز سازد ساختار فشرده و منحصر به فرد این طرح می¬باشد بدین ترتیب که این طرح توانسته با اشغال حجمی در حدود 1/3 نسبت به بقیه طرح های ارائه شده باعث کاهش در هزینه و بسته بندی آسان تر شود و همچنین به مزایای بسیاری دست پیدا کند البته معایبی هم این طرح قطعا دارد که مهمترین آن میزان تنش باقیمانده بیشتر این طرح نسبت به بقیه ساختارها می باشد که این ایراد را با ارائه طرح جدیدتری از پل پیشنهادی با دوار کردن نقاط اتصال توانستیم به حداقل ممکن برسانیم و بدین ترتیب مقدار آن را به بقیه طرح ها نزدیک کنیم لینک ثابت رکورد: ../opac/index.php?lvl=record_display&id=14226 زبان مدرک : فارسی

 فهرست موجودی مدرک

شماره ثبت	شماره بازیابی	نام عام مواد	محل نگهداری	بخش	وضعیت ثبت	وضعیت امانت
148پ	148پ	پایان‌نامه	کتابخانه سجاد	برق - الکترونیک	اسناد مرجع	غیر قابل امانت

 نظرهای کاربران درباره این مدرک

تعداد نظرات کاربران :0 . برای افزودن نظر خود کلیک نمایید.

رای شما : بدون امتیاز بد ضعیف خوب بسیار خوب جذاب

موضوع

شرح نظر شما

طراحی و شبیه سازی شیفت دهنده فاز سه بیتی با استفاده از سوئیچ MEMS (1395) / شهاب نیا ، طناز، نویسنده

نوع مدرک: متون چاپی سرشناسه شهاب نیا ، طناز، نویسنده عنوان : طراحی و شبیه سازی شیفت دهنده فاز سه بیتی با استفاده از سوئیچ MEMS تکرار نام مولف : طناز شهاب نیا سال نشر : 1395 صفحه شمار: 51ص شابک/شاپا 0000010335 یادداشت چکیده شیفت دهنده فاز از قطعات کاربردی در سیستم‌های مخابراتی است. شیفت دهنده فاز در مبدل فرکانس، جمع(ترکیب) کننده توان و آنتن آرایه فازی کاربرد دارد. از جمله مهم‌ترین کاربرد این قطعه در آنتن‌های آرایه فازی است. رادار با آنتن آرایه‌ای پویش الکترونیکی (ESA) آخرین تکنولوژی توسعه یافته تجهیزات رادار است. شیفت دهنده فاز از اجزای اصلی ماژول فرستنده/گیرنده در آرایه اسکن الکترونیکی (ESA) می‌باشد. بنابراین طراحی شیفت دهنده‌های فاز با اتلاف پائین، هزینه ساخت ارزان و وزن کم برای ساخت این آنتن‌ها ضروری می‌باشد. برتری تکنولوژی MEMS در طراحی تغییر دهنده‌های فاز می‌تواند منجر به ساخت آرایه‌های آنتن فازی با هزینه کم شود. در این پایان نامه طراحی و شبیه سازی یک شیفت دهنده فاز میکروالکترومکانیکی سه بیتی در باند فرکانسی K_u بر روی موجبر هم صفحه با استفاده از تکنیک خط تاخیر سوئیچ شده مورد بررسی قرار گرفته است. با توجه به نتایج شبیه سازی، در فرکانس 17GHz تلفات بازگشتی بهتر از -15dB و تلفات داخلی در بدترین حالت -1.62dB است. همچنین در این فرکانس بیش‌ترین خطای فاز برابر 〖0.69〗^° به دست آمده است. از ویژگی‌های شیفت دهنده فاز پیشنهادی می‌توان به استفاده از تکنیک خط تاخیر سوئیچ شده اشاره نمود. مزیت مهمِ استفاده از ساختار خط سوئیچ شده این است که پاسخ فرکانسی فاز تقریباً خطی است و همچنین در مقابل دمای بالا پایدار است. همچنین شیفت دهنده‌های فاز خط سوئیچ شده دارای تلفات داخلی کمتر و ابعاد کوچکتری نسبت به سایر تکنیک‌های طراحی شیفت دهنده فاز است. در طراحی شیفت دهنده‌های فاز سوئیچ‌ها نقش مهمی دارند. در شیفت دهنده فاز بر پایه شبکه تاخیر زمانی هدایت سیگنال در مسیرهای مختلف بر عهده سوئیچ می‌باشد. سوئیچ‌های MEMS با تحریک الکترواستاتیکی، نیاز به جریان DC ندارد که باعث به حداقل رسیدن توان مصرفی می‌شود. همچنین برای کاهش اندازه شیفت دهنده فاز از سوئیچ cantilever سری استفاده شده است. سوئیچ¬های MEMS به فرم cantilever دارای ولتاژ پایین آمدن کم به همراه تلفات کم و ایزولاسیون خوب است. ابعاد این شیفت دهنده فاز سه بیتی برابر 4*4.5mm^2 است شناسه افزوده : مافی نژاد ، خلیل (1326)، استاد راهنما لینک ثابت رکورد: ../opac/index.php?lvl=record_display&id=23017 زبان مدرک : فارسی

 فهرست موجودی مدرک

شماره ثبت	شماره بازیابی	نام عام مواد	محل نگهداری	بخش	وضعیت ثبت	وضعیت امانت
390پ	390پ	پایان‌نامه	کتابخانه سجاد	برق - الکترونیک	اسناد مرجع	غیر قابل امانت

 نظرهای کاربران درباره این مدرک

تعداد نظرات کاربران :0 . برای افزودن نظر خود کلیک نمایید.

رای شما : بدون امتیاز بد ضعیف خوب بسیار خوب جذاب

موضوع

شرح نظر شما

طراحی و شبیه سازی مخلوط کننده فیلتر دوانتهایی میکروالکترومکانیکی با پهنای باند باریک برای کاربرد در فرکانس میانی (1396) / حاج طالبی ، عادل، نویسنده

نوع مدرک: متون چاپی سرشناسه حاج طالبی ، عادل، نویسنده عنوان : طراحی و شبیه سازی مخلوط کننده فیلتر دوانتهایی میکروالکترومکانیکی با پهنای باند باریک برای کاربرد در فرکانس میانی تکرار نام مولف : عادل حاج طالبی سال نشر : 1396 صفحه شمار: 53ص یادداشت چکیده در سال‌های اخیر استفاده از سیستم‌های میکروالکترومکانیکی با توجه به ویژگی‌هایی نظیر توانایی مجتمع سازی، تلفات و توان مصرفی نزدیک به صفر در ساخت تجهیزات و ادوات الکترونیکی مورداستفاده قرار می‌گیرد. امروزه با توجه به ویژگی‌های بیان‌شده، استفاده از این سیستم‌ها در ساخت مخلوط‌کننده مورد توجه قرار گرفته است. در این پایان‌نامه در ابتدا به بررسی ویژگی‌های مخلوط‌کننده ، خازن میکروالکترومکانیکی می پردازیم و درنهایت به تحلیل قابلیت استفاده از خازن میکروالکترومکانیکی به‌عنوان مخلوط‌کننده فیلتر خواهیم پرداخت. برای دستیابی به این اهداف از معادلات تحلیلی و نرم‌افزار COMSOL بهره می‌بریم و تحت سه سناریو به مدل‌سازی آن‌ها خواهیم پرداخت. در تمامی مدل‌سازی‌های صورت گرفته از جنس پلی سیلیکون و هندسه‌ی دوسر ثابت برای ساخت پل استفاده‌شده است. . در این مدل‌سازی‌ها، ارتفاع پل‌ها 1/2 میکرومتر عرض پل‌ها 8 میکرومتر و فاصله‌ی هوایی 500 آنگستروم در نظر گرفته‌شده است. در سناریو اول، ابتدا به تحلیل خازن تک پل ، بررسی فرکانس های تشدید مکانیکی و اثرات ولتاژهای اعمالی بر جابه‌جایی فرکانس تشدید اول ساختار پرداخته می شود. همچنین، شبیه‌سازی سیستم در ساختار فیلتر فرکانس گزین در حوضه‌ی فرکانس گذر در اطراف فرکانس تشدید اول انجام می‌شود. در سناریو دوم، تحلیل فرکانس‌های تشدید مخلوط‌کننده دو پل دوسر ثابت تک تنهایی و تحلیل ساختار آن در ساختار تشدیدگر فرکانس گزین در حوضه‌ی فرکانس با تغییر مقادیر ولتاژ اعمالی به سیستم پرداخته می‌شود. در سناریو سوم، تحت یک ساختار پیشنهادی، به بررسی فرکانس‌های تشدید سیستم پیشنهادی و تحلیل ساختار آن در ساختار فیلتر فرکانس گزین در حوضه‌ی فرکانس با تغییرات مقادیر امپدانس خروجی و بررسی اثرات تغییرات ولتاژ بر فرکانس تشدید سیستم پرداخته می‌شود. درنهایت سیستم پیشنهادی در حوضه‌ی زمان گذر و بررسی عمل مخلوط‌کنندگی و استخراج مشخصات سیستم تحلیل می‌شود. کلمات کلیدی: مخلوط کننده، سیستم های میکروالکترومکانیکی، فیلتر، مخلوط کننده ی دوانتهایی، تشدیدگر شناسه افزوده : مافی نژاد ، خلیل (1326)، استاد راهنما لینک ثابت رکورد: ../opac/index.php?lvl=record_display&id=18393 زبان مدرک : فارسی

 فهرست موجودی مدرک

شماره ثبت	شماره بازیابی	نام عام مواد	محل نگهداری	بخش	وضعیت ثبت	وضعیت امانت
334پ	334پ	پایان‌نامه	کتابخانه سجاد	برق - الکترونیک	اسناد مرجع	غیر قابل امانت

 نظرهای کاربران درباره این مدرک

تعداد نظرات کاربران :0 . برای افزودن نظر خود کلیک نمایید.

رای شما : بدون امتیاز بد ضعیف خوب بسیار خوب جذاب

موضوع

شرح نظر شما

کاربرد امواج مایکروویو در تشخیص سرطان پوست (1396) / روغنگر ، سارا، نویسنده

نوع مدرک: متون چاپی سرشناسه روغنگر ، سارا، نویسنده عنوان : کاربرد امواج مایکروویو در تشخیص سرطان پوست تکرار نام مولف : سارا روغنگر سال نشر : 1396 صفحه شمار: 64ص یادداشت چکیده: در تحقیق پیش رو، ریخت‌شناسی پوست انسان و بافت پوست سرطانی توصیف شده‌اند. مروری بر مدل‌های عددی پوست انسان و تومورها که قبلاً ارائه شده‌اند نیز انجام گرفت. برای مطالعه تعامل امواج الکترومغناطیس با بافت‌های بیولوژیکی، اطلاع داشتن از ویژگی‌های دی‌الکتریک ضروری است؛ بنابراین بررسی اجمالی از ویژگی‌های دی‌الکتریک بافت‌ها و مکانیسم‌های اساسی آن ارائه شده است. استراحت دی‌الکتریک و تکنیک‌های اندازه‌گیری نیز توصیف شده‌اند. داده‌های حاصل از کارهای گذشته با توجه به ویژگی‌های دی‌الکتریک پوست در فرکانس‌های موج میلی‌متری مورد بحث قرار گرفت. با استفاده از قواعد ترکیب ، گذردهی هر لایه از بافت می‌تواند محاسبه شود. ازآنجایی‌که بخش عظیمی از بافت‌های بیولوژیکی به‌خصوص پوست و تومورها اساساً از آب تشکیل شده است، قواعد ترکیب با در نظر گرفتن بافتها به عنوان ترکیبی از آب و ماده بیولوژیک خشک به کار برده شده‌اند. داده دی‌الکتریک به‌دست آمده در معادله دبای قرار گرفته شد و با الگوریتم ژنتیک به بهترین مقدار خود رسید، تا دیگر پارامترهای مورد نیاز برای تخمین گذردهی حول محدوده فرکانسی به‌دست آید. داده تخمین زده شده دی‌‌الکتریک با داده‌های در دسترس در کارهای گذشته مقایسه شد. بازتاب موج میلی‌متری برای اندازه‌گیری مشخصات بازتاب شده از مواد مختلف و به‌دست آوردن ویژگی‌های آنها در بازه فرکانسی 20 تا 100 گیگاهرتز استفاده شد. توسط اندازه‌گیری بازتاب چندین نمونه بافت پوست، تفاوت قابل توجهی بین ویژگی‌های بازتابی بافت‌های سالم و بدخیم، گزارش شده است. دلایل اصلی برای انتخاب موج‌های میلی‌متری نفوذ کم، رزولوشن بیشتر می‌باشد. نرم‌افزار CST برای اجرای شبیه‌سازی‌ها استفاده شد. برای هر مرحله از سرطانی شدن شکل‌هایی در نظر گرفته و اثر هر شکل مطالعه خواهد شد. میدان‌های نقطه‌ای و پارامترهای پراکندگی برای هر مدل محاسبه و با همدیگر مقایسه گردید شناسه افزوده : مافی نژاد ، خلیل (1326)، استاد راهنما لینک ثابت رکورد: ../opac/index.php?lvl=record_display&id=25361 زبان مدرک : فارسی

 فهرست موجودی مدرک

شماره ثبت	شماره بازیابی	نام عام مواد	محل نگهداری	بخش	وضعیت ثبت	وضعیت امانت
564پ	564پ	پایان‌نامه	کتابخانه سجاد	برق	اسناد مرجع	غیر قابل امانت

 نظرهای کاربران درباره این مدرک

تعداد نظرات کاربران :0 . برای افزودن نظر خود کلیک نمایید.

رای شما : بدون امتیاز بد ضعیف خوب بسیار خوب جذاب

موضوع

شرح نظر شما

روش طراحی و تحلیل مدارهای الکترونیک (1369) / مافی نژاد ، خلیل (1326)، نویسنده

نوع مدرک: متون چاپی سرشناسه مافی نژاد ، خلیل (1326)، نویسنده رده‌بندی کنگره : TK7867 ‭/م2ر9 1383 عنوان : روش طراحی و تحلیل مدارهای الکترونیک تکرار نام مولف : مولفان خلیل مافی ‌نژاد، فرامرز صبوری ناشر: مشهد : آستان قدس رضوی. موسسه چاپ و انتشارات سال نشر : 1369 فروست : موسسه چاپ و انتشارات آستان قدس رضوی؛ 110 صفحه شمار: 456 ص.مصور، نمودار یادداشت چاپ پنجم: 1375ف بها: 8000 ریال کتابنامه به‌صورت زیرنویس شناسه افزوده : آستان قدس رضوی صبوری ، فرامرز موسسه چاپ و انتشارات موضوع‌ها : اصفا مدارهای الکترونیکی -- طرح و محاسبه ؛ مدارهای ترانزیستوری لینک ثابت رکورد: ../opac/index.php?lvl=record_display&id=7309 زبان مدرک : فارسی

 درخواست رزرو

 فهرست موجودی مدرک

شماره ثبت	شماره بازیابی	نام عام مواد	محل نگهداری	بخش	وضعیت ثبت	وضعیت امانت
100	TK7867‭ /م2ر9 1383	کتاب فارسی	کتابخانه سجاد	سایر	اسناد معمولی	موجود
101	TK7867‭ /م2ر9 1383 ن.2	کتاب فارسی	کتابخانه سجاد	سایر	اسناد معمولی	موجود
102	TK7867‭ /م2ر9 1383 ن.3	کتاب فارسی	کتابخانه سجاد	سایر	اسناد وجین شده	غیر قابل امانت
103	TK7867‭ /م2ر9 1383 ن.4	کتاب فارسی	کتابخانه سجاد	سایر	اسناد معمولی	موجود
107	TK7867‭ /م2ر9 1383 ن.5	کتاب فارسی	کتابخانه سجاد	سایر	اسناد وجین شده	غیر قابل امانت
552	TK7867‭ /م2ر9 1383 ن.12	کتاب فارسی	کتابخانه سجاد	سایر	اسناد معمولی	موجود
553	TK7867‭ /م2ر9 1383 ن.6	کتاب فارسی	کتابخانه سجاد	سایر	اسناد وجین شده	غیر قابل امانت
554	TK7867‭ /م2ر9 1383 ن.7	کتاب فارسی	کتابخانه سجاد	سایر	اسناد وجین شده	غیر قابل امانت
555	TK7867‭ /م2ر9 1383 ن.8	کتاب فارسی	کتابخانه سجاد	سایر	اسناد معمولی	موجود
556	TK7867‭ /م2ر9 1383 ن.9	کتاب فارسی	کتابخانه سجاد	سایر	اسناد معمولی	موجود
557	TK7867‭ /م2ر9 1383 ن.10	کتاب فارسی	کتابخانه سجاد	سایر	اسناد وجین شده	غیر قابل امانت
558	TK7867‭ /م2ر9 1383 ن.11	کتاب فارسی	کتابخانه سجاد	سایر	اسناد وجین شده	غیر قابل امانت
5086	TK7867‭ /م2ر9 1383 ن.13	کتاب فارسی	کتابخانه سجاد	سایر	اسناد معمولی	موجود
5104	TK7867‭ /م2ر9 1383 ن.14	کتاب فارسی	کتابخانه سجاد	سایر	اسناد معمولی	موجود
10889	TK7867‭ /م2ر9 1383 ن.15	کتاب فارسی	کتابخانه سجاد	سایر	اسناد وجین شده	غیر قابل امانت
11447	TK7867‭ /م2ر9 1383 ن.16	کتاب فارسی	کتابخانه سجاد	سایر	اسناد معمولی	تاریخ بازگشت ۱۴۰۱/۱۲/۲۵
12398	TK7867‭ /م2ر9 1383 ن.17	کتاب فارسی	کتابخانه سجاد	سایر	اسناد معمولی	موجود
15083	TK7867‭ /م2ر9 1383 ن.18	کتاب فارسی	کتابخانه سجاد	سایر	اسناد معمولی	موجود

 نظرهای کاربران درباره این مدرک

تعداد نظرات کاربران :0 . برای افزودن نظر خود کلیک نمایید.

رای شما : بدون امتیاز بد ضعیف خوب بسیار خوب جذاب

موضوع

شرح نظر شما